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Paramétrages

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1. WO2003009350 - RECUIT ULTRA-RAPIDE

Numéro de publication WO/2003/009350
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/022716
Date du dépôt international 18.07.2002
CIB
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
C30B 31/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
31Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
06by contacting with diffusion material in the gaseous state
12Heating of the reaction chamber
H01L 21/67115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67115mainly by radiation
H05B 3/0047
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Ohmic-resistance heating
0033Heating devices using lamps
0038for industrial applications
0047for semiconductor manufacture
Déposants
  • WAFERMASTERS, INC. [US/US]; 246 East Gish Road San Jose, CA 95112, US
Inventeurs
  • YOO, Woo, Sik; US
Mandataires
  • LOPEZ, Theodore, P. ; MacPherson Kwok Chen & Heid LLP 2402 Michelson Drive Suite 210 Irvine, CA 92612, US
Données relatives à la priorité
09/910,29820.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FLASH ANNEAL
(FR) RECUIT ULTRA-RAPIDE
Abrégé
(EN)
A system for uniformly and controllably heating the active surface of a semiconductor wafer or substrate during processing. The present invention may include a radiation energy source provided, which is enclosed or substantially surrounded by a reflective/absorptive surface, which both reflects and absorbs the radiation, emitted from the energy source. In accordance with the present invention, the resultant energy output as seen by the wafer is substantially free of non-uniformity.
(FR)
La présente invention concerne un système qui permet de chauffer de manière uniforme et contrôlée la surface active d'une tranche ou d'un substrat à semi-conducteurs pendant le traitement. Cette invention peut comprendre une source d'énergie de rayonnement qui est enfermée ou partiellement entourée par une surface réfléchissante/absorbante, qui réfléchit et absorbe le rayonnement émis par la source d'énergie. Selon la présente invention, le rendement en énergie résultant, pour la tranche, est sensiblement exempt de non uniformité.
Également publié en tant que
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