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Paramétrages

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1. WO2003009349 - PROCEDES ET COMPOSITIONS POUR POLIR MECANIQUEMENT ET CHIMIQUEMENT DES SUBSTRATS D'ISOLATION DE TRANCHEES PEU PROFONDES

Numéro de publication WO/2003/009349
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/022587
Date du dépôt international 16.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.02.2003
CIB
C09G 1/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
GCOMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1Compositions de produits à polir
02contenant des abrasifs ou agents de polissage
H01L 21/3105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SKI WAXES
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
H01L 21/31053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
H01L 21/76229
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
76224using trench refilling with dielectric materials
76229Concurrent filling of a plurality of trenches having a different trench shape or dimension, e.g. rectangular and V-shaped trenches, wide and narrow trenches, shallow and deep trenches
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs
  • BONNER, Benjamin, A.; US
  • IYER, Anand, N.; US
  • KUMAR, Deepak, N.; US
  • OSTERHELD, Thomas, H.; US
  • HSU, Wei-Yung; US
  • KIM, Yong-Sik, R.; US
  • SMITH, Christopher, W.; US
  • ZHANG, Huanbo; US
Mandataires
  • TACKETT, Keith, M.; Moser, Patterson & Sheridan, LLP 3040 Post Oak Blvd. Suite 1500 Houston, TX 77056, US
Données relatives à la priorité
60/305,72116.07.2001US
60/325,06326.09.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS AND COMPOSITIONS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SUBSTRATES COVERED WITH AT LEAST TWO DIELECTRIC MATERIALS
(FR) PROCEDES ET COMPOSITIONS POUR POLIR MECANIQUEMENT ET CHIMIQUEMENT DES SUBSTRATS D'ISOLATION DE TRANCHEES PEU PROFONDES
Abrégé
(EN)
Methods and compositions are provided for planarizing a substrate surface with reduced or minimal defects in surface topography. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including positioning a substrate comprising at least first dielectric material and second dielectric material disposed thereon in a polishing apparatus, polishing the substrate with a first polishing composition having a first selectivity, and polishing the substrate with a second polishing composition having a second selectivity greater than the first selectivity.
(FR)
L'invention concerne des procédés et des compositions pour planariser la surface d'un substrat dont la topographie superficielle comporte des défectuosités minimales ou réduites. Dans un mode de réalisation, un procédé pour traiter un substrat comprend les opérations suivantes : placer dans un appareil de polissage le substrat constitué d'au moins un premier matériau diélectrique et d'un deuxième matériau diélectrique disposé sur le premier ; polir le substrat au moyen d'une première composition de polissage présentant une première sélectivité ; polir le substrat au moyen d'une deuxième composition de polissage présentant une deuxième sélectivité supérieure à la première.
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