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Paramétrages

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1. WO2003009050 - COMPENSATION DE BIREFRINGENCE INTRINSEQUE POUR COMPOSANTS DE LITHOGRAPHIE OPTIQUE AYANT UNE LONGUEUR D'ONDES INFERIEURE A 200 NANOMETRES A STRUCTURES CRISTALLINES CUBIQUES

Numéro de publication WO/2003/009050
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/022498
Date du dépôt international 16.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.01.2003
CIB
G01L 1/24 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
LMESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
1Mesure des forces ou des contraintes, en général
24en mesurant les variations des propriétés optiques du matériau quand il est soumis à une contrainte, p.ex. par l'analyse des contraintes par photo-élasticité
G02B 1/02 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
1Eléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faits; Revêtements optiques pour éléments optiques
02faits de cristaux, p.ex. sel gemme, semi-conducteurs
G02B 5/30 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5Eléments optiques autres que les lentilles
30Eléments polarisants
G02B 17/08 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
17Systèmes avec surfaces réfléchissantes, avec ou sans éléments de réfraction
08Systèmes catadioptriques
G02F 1/01 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G01L 1/241
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1Measuring force or stress, in general
24by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis ; using infra-red, visible light, ultra-violet
241by photoelastic stress analysis
G02B 1/02
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
1Optical elements characterised by the material of which they are made
02made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
G02B 17/0808
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
17Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
08Catadioptric systems
0804using two curved mirrors
0808on-axis systems with at least one of the mirrors having a central aperture
G02B 17/086
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
17Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
08Catadioptric systems
0856comprising a refractive element with a reflective surface, the reflection taking place inside the element, e.g. Mangin mirrors
086wherein the system is made of a single block of optical material, e.g. solid catadioptric systems
G02B 17/0892
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
17Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
08Catadioptric systems
0892specially adapted for the UV
G02B 5/3091
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
30Polarising elements
3083Birefringent or phase retarding elements
3091for use in the UV
Déposants
  • CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, NY 14831, US
Inventeurs
  • ALLAN, Douglas, C.; US
  • WEBB, James, E.; US
  • BRUNING, John, H.; US
Mandataires
  • RYAN, Thomas, B. ; Harter Secrest & Emery LLP 1600 Bausch & Lomb Place Rochester, NY 14604-2711, US
Données relatives à la priorité
60/306,20618.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INTRINSIC BIREFRINGENCE COMPENSATION FOR BELOW 200 NANOMETER WAVELENGTH OPTICAL LITHOGRAPHY COMPONENTS WITH CUBIC CRYSTALLINE STRUCTURES
(FR) COMPENSATION DE BIREFRINGENCE INTRINSEQUE POUR COMPOSANTS DE LITHOGRAPHIE OPTIQUE AYANT UNE LONGUEUR D'ONDES INFERIEURE A 200 NANOMETRES A STRUCTURES CRISTALLINES CUBIQUES
Abrégé
(EN)
Stress-induced photoelastic birefringence compensates for intrinsic birefringence of cubic crystalline structures (12) in deep ultraviolet (less than 200 nm) microlithographic imaging systems (10). Both the photoelastic birefringence and the intrinsic birefringence are expressed in a tensor format simplified by the symmetries of cubic crystalline structures. The stress-induced photoelastic birefringence can be sized to individually compensate for intrinsic birefringence exhibited in the same optical elements or preferably to collectively compensate for the cumulative effects of intrinsic birefringence in other optical elements in the lithography system.
(FR)
La biréfringence photoélastique induite par le stress compense la biréfringence intrinsèque des structures cristallines cubiques (12) dans des systèmes d'imagerie microlithographique (10)en ultraviolet profond (moins de 200 nm). La biréfringence photoélastique tout comme la biréfringence intrinsèque sont exprimées en format tensoriel simplifié par les symétries des structures cristallines cubiques. On peut adapter les dimensions de la biréfringence photoélastique induite par le stress pour compenser de façon individuelle la biréfringence intrinsèque manifestée dans les mêmes éléments optiques ou, de préférence, pour compenser collectivement les effets cumulatifs de la biréfringence intrinsèque dans d'autres éléments optiques faisant partie du système de lithographie.
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