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Paramétrages

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1. WO2003008676 - PROCEDE POUR PREPARER UN MONOCRISTAL DE TUNGSTATE

Numéro de publication WO/2003/008676
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006607
Date du dépôt international 28.06.2002
CIB
C30B 1/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
1Croissance des monocristaux à partir de l'état solide
C30B 9/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
9Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus
C30B 33/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
CPC
C30B 1/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
1Single-crystal growth directly from the solid state
C30B 29/32
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
22Complex oxides
32Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
C30B 33/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
C30B 9/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
9Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
Déposants
  • FURUKAWA CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8370, JP
Inventeurs
  • KOBAYASHI, Seiji; JP
  • YAMAMOTO, Kazutomi; JP
Mandataires
  • MORI, Tetsuya ; Nichiei Kokusai Tokkyo Jimusho Yusen Iwamotocho Bldg. 8th Floor 3-3, Iwamoto-cho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-0032, JP
Données relatives à la priorité
2001-21233612.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PREPARING TUNGSTATE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCEDE POUR PREPARER UN MONOCRISTAL DE TUNGSTATE
Abrégé
(EN)
A method for preparing a tungstate single crystal which comprises growing a tungstate single crystal using, as a raw material, tungsten trioxide and a divalent metal oxide or carbonate, tungsten trioxide and a monovalent metal oxide or carbonate and a trivalent metal oxide, or a tungstate represented by the molecular formula: XIIWO4 or XIXIII(WO4)2, wherein XI, XII and XIII represent a monovalent metal element, a divalent metal element and a trivalent metal element, respectively, which is formed through heating above oxides and/or carbonates, and then heating the grown tungstate single crystal at 600°C to 1550°C in an atmosphere having a partial pressure of oxygen adjusted to a pressure less than that in the air. The above method allows the preparation of a tungstate single crystal having an enhanced density and exhibiting an increased quantity of light, which is useful as a scintillator for detecting a radiation such as X−ray or ϝ−ray, and a tungstate single crystal exhibiting an improved heat conductivity, which is useful as a laser host of a two wave laser device.
(FR)
Cette invention se rapporte à un procédé servant à préparer un monocristal de tungstate et qui consiste à cet effet à croître un monocristal de tungstate en utilisant, comme matériau brut, du trioxyde de tungstène et un oxyde ou carbonate de métal divalent, du trioxyde de tungstène et un oxyde au carbonate de métal monovalent et un oxyde de métal trivalent, ou un tungstate représenté par la formule moléculaire: XIIWO4 ou XIXIII(WO4)2, où XI, XII et XIII représentent un élément métal monovalent, un élément métal divalent et un élément métal trivalent, respectivement, que l'on forme en chauffant les oxydes et/ou carbonates mentionnés ci-dessus et en chauffant ensuite le monocristal de tungstate obtenu ainsi par croissance à une température comprise entre 600 °C et 1550 °C dans une atmosphère ayant une pression partielle d'oxygène ajustée sur une pression inférieure à celle de l'air. Ce procédé permet de préparer un monocristal de tungstate ayant une plus grande densité et possédant une quantité de lumière accrue, qui est utile comme scintillateur pour détecter un rayonnement tel que des rayons X ou des rayons $g(g), ainsi qu'un monocristal de tungstate possédant une conductivité thermique améliorée, qui est utile comme matériau hôte laser d'un dispositif laser à deux ondes.
Également publié en tant que
CZPV2003-724
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