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Paramétrages

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1. WO2003008661 - CIBLE DE PULVERISATION ET FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT

Numéro de publication WO/2003/008661
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/005058
Date du dépôt international 24.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 17.12.2002
CIB
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
CPC
C04B 2235/3229
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
3229Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
C04B 2235/3232
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
3232Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
C04B 2235/3239
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
3239Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
C04B 2235/3244
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
3244Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
C04B 2235/3251
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
3251Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
C04B 2235/3284
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3284Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
Déposants
  • IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8321, JP (AllExceptUS)
  • INOUE, Kazuyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • MATSUZAKI, Shigeo [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • INOUE, Kazuyoshi; JP
  • MATSUZAKI, Shigeo; JP
Mandataires
  • WATANABE, Kihei; Daiichi NS Bldg., 5th Floor 32, Kanda Suda-cho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-0041, JP
Données relatives à la priorité
2001-21661817.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SPUTTERING TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) CIBLE DE PULVERISATION ET FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
Abrégé
(EN)
A sputtering target containing a hexagonal system laminar compound the composition of which is expressed by In2O3(Zn0)m (where m represents an integer of 2 to 7) composed of indium oxide and zinc oxide and 0.01 to 1 atom% of an oxide of a third element having a valence of plus 4. A transparent conductive film formed using the sputtering target is also disclosed. Thus a sputtering target for sputtering with good stability having a low volume resistivity and a transparent conductive film formed by using the sputtering target and excellent in etchability are provided.
(FR)
L'invention concerne une cible de pulvérisation contenant un composé laminaire à système hexagonal dont la composition est exprimée par In2O3(Zn0)m (dans laquelle m représente un entier de 2 à 7), comprenant un oxyde d'indium et un oxyde de zinc et de 0,01 à 1 % atomique d'un oxyde d'un troisième élément présentant une valence supérieure à 4. L'invention concerne également un film conducteur transparent formé à l'aide de la cible de pulvérisation. L'invention permet ainsi d'obtenir une cible de pulvérisation présentant une bonne stabilité avec une résistivité de faible volume, et un film conducteur transparent formé à l'aide de la cible de pulvérisation et présentant une excellente capacité de gravure.
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