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Paramétrages

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1. WO2003007443 - FABRICATION DE LASERS SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT DES RESEAUX

Numéro de publication WO/2003/007443
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/SE2002/001282
Date du dépôt international 28.06.2002
CIB
H01S 5/028 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
028Revêtements
H01S 5/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
12le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie
CPC
H01S 5/028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
028Coatings ; ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
H01S 5/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feed-back [DFB] lasers
Déposants
  • OPTILLION AB [SE/SE]; Box 47646 S-117 94 Stockholm, SE (AllExceptUS)
  • FRÖJDH, Krister [SE/SE]; SE (UsOnly)
Inventeurs
  • FRÖJDH, Krister; SE
Mandataires
  • BJERKENS PATENTBYRA AB; Ostermalmsgatan 58 S-114 50 Stockholm, SE
Données relatives à la priorité
0102516-213.07.2001SE
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASERS HAVING GRATINGS
(FR) FABRICATION DE LASERS SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT DES RESEAUX
Abrégé
(EN)
When manufacturing semiconductor lasers having an internal grating (5), such as DFB or DBR lasers, the facets (7) generally have an arbitrary position in relation to the grating. This varying position of a critical one of the facets results in the fact that many of the lasers obtain far from optimum performance. In order to obtain far from optimum performance. In order to obtain good optical performance a distance layer (23) is applied directly to the critical facet. The distance layer has a thickness adapted to the phase of light generated in the laser, in particular to the phase at the facet, thereby producing a desired reflection of the light in the distance layer to give the laser good performance.
(FR)
Lors de la fabrication de lasers semi-conducteurs comportant un réseau interne (5), tels que des lasers à rétroaction répartie ou à réflecteurs de Bragg répartis, les facettes (7) présente généralement une position arbitraire par rapport au réseau. Cette position variable d'une facette critique parmi les facettes a pour conséquence que beaucoup de lasers réalisent une performance qui est loin d'être optimale. Afin d'obtenir une bonne performance optique, on applique une couche d'écartement (23) directement à la facette critique. La couche d'écartement présente une épaisseur adaptée à la phase de lumière générée dans le laser, notamment à la phase au niveau de la facette, produisant ainsi une réflexion souhaitée de la lumière dans la couche d'écartement pour procurer au laser une bonne performance.
Également publié en tant que
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