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Paramétrages

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1. WO2003007440 - SOURCE LUMINEUSE INTEGREE PERMETTANT UN REGLAGE DE FREQUENCE

Numéro de publication WO/2003/007440
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/012850
Date du dépôt international 23.04.2002
CIB
H01L 21/8258 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
8258le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes H01L21/822, H01L21/8252, H01L21/8254 ou H01L21/8256229
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01S 5/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/026 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/183 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
H01S 5/327 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
32comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
327dans des composés AIIBVI, p.ex. laser ZnCdSe
CPC
H01L 21/8258
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
8258the substrate being a semiconductor, using a combination of technologies covered by ; H01L21/8206, H01L21/8213; , H01L21/822, H01L21/8252, H01L21/8254 or H01L21/8256
H01L 27/0605
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0605integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
H01L 27/0688
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0688Integrated circuits having a three-dimensional layout
H01S 2301/176
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
17Semiconductor lasers comprising special layers
176Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
H01S 5/021
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
0206Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding;
021Silicon based substrates
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
Déposants
  • MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US
Inventeurs
  • BOSCO, Bruce, Allen; US
  • EMRICK, Rudy, M.; US
  • ROCKWELL, Stephen, Kent; US
Mandataires
  • KOCH, William, E. ; Motorola Labs 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606, US
Données relatives à la priorité
09/901,90511.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INTEGRATED LIGHT SOURCE FOR FREQUENCY ADJUSTMENT
(FR) SOURCE LUMINEUSE INTEGREE PERMETTANT UN REGLAGE DE FREQUENCE
Abrégé
(EN)
An integrated light source (300) for frequency adjustment, injection locking or modulation of an oscillator is disclosed. High quality epitaxial layers of monocrystalline materials grown over monocrystalline substrates enables the formation of an active device and a light source (301) on a monocrystalline compound semiconductor material and control circuitry (307) for the light source on a monocrystalline substrate. The use of light to provide the frequency adjustment, injection locking or modulation of the oscillator has multiple advantages including maintenance of good phase-noise.
(FR)
L'invention concerne une source lumineuse intégrée (300) permettant le réglage de la fréquence, le verrouillage par injection ou la modulation d'un oscillateur. Des couches épitaxiales haute qualité de matériaux monocristallins qu'on a fait croître sur des substrats monocristallins permettent la formation d'un dispositif actif et d'une source lumineuse (301) sur un matériau semiconducteur à composé monocristallin, ainsi que d'un montage de circuits de commande (307) destiné à la source lumineuse sur un substrat monocristallin. L'utilisation de la lumière dans le réglage de la fréquence, le verrouillage par injection ou la modulation de l'oscillateur présente de multiples avantages, notamment le maintien d'un bon bruit de phase.
Également publié en tant que
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