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Paramétrages

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1. WO2003007339 - UTILISATION DE GAZ DEUTERES POUR LE DEPOT PAR EVAPORATION SOUS VIDE DE COUCHES MINCES POUR DES DISPOSITIFS ET GUIDES D'ONDES OPTIQUES A FAIBLE ATTENUATION

Numéro de publication WO/2003/007339
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/022283
Date du dépôt international 12.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 12.02.2003
CIB
C03C 17/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
03VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
CCOMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, DE SUBSTANCES MINÉRALES OU DE SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
17Traitement de surface du verre, p.ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement
34avec au moins deux revêtements ayant des compositions différentes
C23C 16/30 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
C23C 16/40 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
40Oxydes
G02B 6/12 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
10du type guide d'ondes optiques
12du genre à circuit intégré
G02B 6/132 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
10du type guide d'ondes optiques
12du genre à circuit intégré
13Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication
132par le dépôt de couches minces
CPC
C03C 17/3435
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
34with at least two coatings having different compositions
3411with at least two coatings of inorganic materials
3429at least one of the coatings being a non-oxide coating
3435comprising a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
C03C 17/3482
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
34with at least two coatings having different compositions
3411with at least two coatings of inorganic materials
3429at least one of the coatings being a non-oxide coating
3482comprising silicon, hydrogenated silicon or a silicide
C03C 2218/152
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
2218Methods for coating glass
10Deposition methods
15from the vapour phase
152by cvd
C03C 2218/33
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
2218Methods for coating glass
30Aspects of methods for coating glass not covered above
32After-treatment
328Partly or completely removing a coating
33by etching
C03C 4/0042
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
4Compositions for glass with special properties
0042for glass comprising or including particular isotopes
C23C 16/308
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
308Oxynitrides
Déposants
  • LITTLE OPTICS, INC. [US/US]; 9020 Junction Drive Annapolis Junction, MD 20701, US
Inventeurs
  • JOHNSON, Frederick, G.; US
  • KING, Oliver, S.; US
  • HRYNIEWICZ, John, V.; US
  • JONECKIS, Lance, G.; US
  • CHU, Sai, T.; US
  • GILL, David, M.; US
Mandataires
  • KELBER, Steven, B. ; Piper Rudnick LLP 1200 Nineteenth Street, N.W. Washington, DC 20036, US
Données relatives à la priorité
09/944,20704.09.2001US
60/304,81112.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) USE OF DEUTERATED GASES FOR THE VAPOR DEPOSITION OF THIN FILMS FOR LOW-LOSS OPTICAL DEVICES AND WAVEGUIDES
(FR) UTILISATION DE GAZ DEUTERES POUR LE DEPOT PAR EVAPORATION SOUS VIDE DE COUCHES MINCES POUR DES DISPOSITIFS ET GUIDES D'ONDES OPTIQUES A FAIBLE ATTENUATION
Abrégé
(EN)
Devices and methods for the vapor deposition of amorphous, silicon-containing thin films (31) using vapors comprised of deuterated species. Thin films grown on a substrate wafer (32) by this method contain deuterium but little to no hydrogen. Optical devices comprised of optical waveguides (31) formed using this method have significantly reduced optical absorption or loss in the near-infrared optical spectrum commonly used for optical communications, compared to the loss in waveguides formed in thin films grown using conventional vapor deposition techniques with hydrogen containing precursors. In one variation, the optical devices (31) are formed on a silicon-oxide layer (33) that is formed on a substrate (32), such as a silicon substrate. The optical devices of some variations are of the chemical species SiOxNy:D. Since the method of formation requires no annealing, the thin films can be grown on electronic and optical devices or portions thereof without damaging those devices.
(FR)
La présente invention concerne des dispositifs et procédés de dépôt par évaporation sous vide de couches minces amorphes siliconées avec utilisation de vapeurs constituées d'espèces deutérées. Les couches minces obtenues sur les plaquettes substrat selon ce procédé contiennent du deutérium, mais peu, voire pas d'hydrogène. Les dispositifs optiques constitués de guides d'ondes optiques formés selon ce procédé présentent une absorption ou atténuation optique fortement réduite dans le proche infrarouge normalement utilisé pour les communications optiques par rapport à l'atténuation dans les guides d'ondes formés dans des couches minces obtenues utilisant les procédés conventionnels de dépôt par évaporation sous vide utilisant des précurseurs hydrogénés. Pour l'une des variante, les dispositifs optiques sont formés sur une couche silicium-oxyde qui est formée sur un substrat tel qu'un substrat de silicium. Les dispositifs optiques de quelques variantes sont faits des espèces chimiques SiOxNy:D. Etant donné que le procédé de formation ne nécessite pas de recuit, les films minces peuvent être réalisés sur des dispositifs électroniques et optiques ou certaines de leurs parties sans endommager les dispositifs considérés.
Également publié en tant que
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