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Paramétrages

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1. WO2003007336 - PORTE-ECHANTILLON A BRAS SUPPORT ARQUES

Numéro de publication WO/2003/007336
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/020556
Date du dépôt international 27.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 11.10.2002
CIB
C30B 25/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
12Porte-substrat ou supports
C30B 31/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
31Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet
06par contact avec la substance de diffusion à l'état gazeux
14Porte-substrat ou supports
H01L 21/673 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
673utilisant des supports spécialement adaptés
CPC
C30B 25/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
12Substrate holders or susceptors
C30B 31/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
31Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
06by contacting with diffusion material in the gaseous state
14Substrate holders or susceptors
H01L 21/67309
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
673using specially adapted carriers ; or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
67303Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
67309characterized by the substrate support
Déposants
  • SAINT-GOBAIN CERAMICS AND PLASTICS, INC. [US/US]; 1 New Bond Street Worcester, MA 01615, US
Inventeurs
  • BUCKLEY, Richard, F.; US
  • VAYDA, John; US
Mandataires
  • PORTER, Mary, E. ; Saint-Gobain Corporation 1 New Bond Street Box Number 15138 Worcester, MA 01615-0138, US
Données relatives à la priorité
09/904,14312.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) WAFER BOAT WITH ARCUATE WAFER SUPPORT ARMS
(FR) PORTE-ECHANTILLON A BRAS SUPPORT ARQUES
Abrégé
(EN)
A vertical ceramic wafer boat (20) for supporting a silicon wafer having a predetermined radius R. The wafer boat comprises a base (24) and a pair of column racks (22). The column racks extend generally vertically upwards from the base. Each column rack includes at least one arm (44) having an arcuate section (50). Each arcuate section is sized to provide substantial support for a 0.7 R boundary region of the wafer and spans an arc of less than 180 degrees.
(FR)
L'invention concerne un porte-échantillon céramique vertical permettant de supporter une plaquette de silicium ayant un rayon prédéterminé R. Le porte-échantillon comprend une base et une paire de glissières en colonne, la glissière s'étendant généralement vers le haut depuis la base et comprenant au moins un bras pourvu d'une section arquée. Chaque section arquée est dimensionnée de façon à former un support substantiel pour une région de délimitation de R 0,7 de la plaquette et a une envergure d'arc inférieure à 180 degrés.
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