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Paramétrages

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1. WO2003007305 - MEMOIRE A SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF ELECTRONIQUE MOBILE, ET MEMOIRE AMOVIBLE

Numéro de publication WO/2003/007305
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006926
Date du dépôt international 09.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 22.11.2002
CIB
G11C 11/406 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
34utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40utilisant des transistors
401formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
406Organisation ou commande des cycles de rafraîchissement ou de régénération de la charge
H01L 29/423 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/788 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
788à grille flottante
H01L 29/792 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
792à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
CPC
G11C 11/406
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
G11C 2207/2227
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2207Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
22Control and timing of internal memory operations
2227Standby or low power modes
G11C 2211/4067
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2211Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
401Indexing scheme relating to cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
406Refreshing of dynamic cells
4067Refresh in standby or low power modes
H01L 29/42332
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
423not carrying the current to be rectified, amplified or switched
42312Gate electrodes for field effect devices
42316for field-effect transistors
4232with insulated gate
42324Gate electrodes for transistors with a floating gate
42332with the floating gate formed by two or more non connected parts, e.g. multi-particles flating gate
H01L 29/7881
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
788with floating gate
7881Programmable transistors with only two possible levels of programmation
H01L 29/792
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
792with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
Déposants
  • SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522, JP (AllExceptUS)
  • IWATA, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • SHIBATA, Akihide [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • IWATA, Hiroshi; JP
  • SHIBATA, Akihide; JP
Mandataires
  • AOYAMA, Tamotsu ; AOYAMA & PARTNERS IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 540-0001, JP
Données relatives à la priorité
2001-20951110.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR STORAGE, MOBILE ELECTRONIC DEVICE, AND DETACHABLE STORAGE
(FR) MEMOIRE A SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF ELECTRONIQUE MOBILE, ET MEMOIRE AMOVIBLE
Abrégé
(EN)
When a memory unit (1) is in a standby mode, a power supply cutoff circuit (2) supplies power to the memory unit (1) in synchronism with the timing of a refresh operation generated by a clock circuit (3) only during the period of the refresh operation. During the period while a refresh operation is not carried out, the power supply to the memory unit (1) is stopped. In such a way, the power consumption of the memory unit carrying out a refresh operation is reduced, and thus lower power consumption of a semiconductor device is achieved.
(FR)
Aux fins de l'invention, lorsqu'une unité de mémoire (1) est en attente, un circuit de coupure d'alimentation (2) alimente l'unité (1) en synchronisation avec une opération de rafraîchissement engendrée par un circuit d'horloge (3), uniquement pendant l'opération considérée. En dehors de cette période, l'alimentation de l'unité (1) est interrompue. Ainsi, la consommation d'énergie d'une unité de mémoire (1) accomplissant une opération de rafraîchissement est réduite, et on dispose d'un appareil à semiconducteur dont la consommation d'énergie est plus faible.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international