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Paramétrages

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1. WO2003007234 - REGISTRE DE DONNEES

Numéro de publication WO/2003/007234
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/GB2002/003176
Date du dépôt international 10.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 06.02.2003
CIB
B82B 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
BNANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
1Nanostructures formées par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
G06G 7/02 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
GCALCULATEURS ANALOGIQUES
7Dispositifs dans lesquels l'opération de calcul est effectuée en faisant varier des grandeurs électriques ou magnétiques
02Détails non couverts par les groupes G06G7/04-G06G7/1089
G06N 99/00 2010.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
NSYSTÈMES DE CALCULATEURS BASÉS SUR DES MODÈLES DE CALCUL SPÉCIFIQUES
99Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
G11C 11/56 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
G11C 13/02 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
13Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
02utilisant des éléments dont le fonctionnement dépend d'un changement chimique
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G06N 10/00
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
10Quantum computers, i.e. computer systems based on quantum-mechanical phenomena
G11C 11/56
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
G11C 13/025
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
02using elements whose operation depends upon chemical change
025using fullerenes, e.g. C60, or nanotubes, e.g. carbon or silicon nanotubes
G11C 2213/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
10Resistive cells; Technology aspects
16Memory cell being a nanotube, e.g. suspended nanotube
G11C 2213/81
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
70Resistive array aspects
81Array wherein the array conductors, e.g. word lines, bit lines, are made of nanowires
Déposants
  • ISIS INNOVATION LIMITED [GB/GB]; Ewert House Ewert Place Summertown Oxford OX2 7SG, GB (AllExceptUS)
  • BRIGGS, George, Andrew, Davidson [GB/GB]; GB (UsOnly)
Inventeurs
  • BRIGGS, George, Andrew, Davidson; GB
Mandataires
  • TYSON, Robin, Edward ; J.A. Kemp & Co. 14 South Square Gray's Inn London WC1R 5JJ, GB
Données relatives à la priorité
0116943.211.07.2001GB
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INFORMATION REGISTER
(FR) REGISTRE DE DONNEES
Abrégé
(EN)
An information register is disclosed in which information is represented by the states of endohedral fullerenes in nanotube. Possible states are spin-states or morphological states, such as endohedral species having intrinsic or induced electric dipole moment or characteristic electric polarizility. The states of successive endohedral fullerenes along the nanotube are coupled by interaction mediated by electrons in the nanotube. The register can be used as part of a quantum computer or a classical computer.
(FR)
L'invention concerne un registre de données dans lequel les données sont représentées par les états des fullerènes endohédraux dans un nanotube. Les états possibles sont les états de spin ou des états morphologiques, tels qu'un moment dipolaire intrinsèque ou induit ou une polarisabilité électrique caractéristique des espèces endohédrales. Les états des fullerènes endohéraux le long du nanotube sont couplés par une interaction dont les électrons présents dans le nanotube sont les médiateurs. Ce registre peut être utilisé en tant que composant d'un ordinateur quantique ou d'un ordinateur classique. .
Également publié en tant que
GBGB0402585.4
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