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Paramétrages

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1. WO2003006937 - PHOTODETECTEUR

Numéro de publication WO/2003/006937
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/007074
Date du dépôt international 11.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 11.07.2002
CIB
G01J 1/46 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
JMESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
1Photométrie, p.ex. posemètres photographiques
42en utilisant des détecteurs électriques de radiations
44Circuits électriques
46utilisant une capacité
CPC
G01J 1/46
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
1Photometry, e.g. photographic exposure meter
42using electric radiation detectors
44Electric circuits
46using a capacitor
H01L 31/101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
Déposants
  • HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho Hamamatsu-shi, Shizuoka 435-8558, JP (AllExceptUS)
  • MIZUNO, Seiichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • MIZUNO, Seiichiro; JP
Mandataires
  • HASEGAWA, Yoshiki ; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Okura-honkan 6-12, Ginza 2-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0061, JP
Données relatives à la priorité
2001-21426113.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODETECTEUR
Abrégé
(EN)
Electric charge generated according to the quantity of incident light to a photodiode (PD) is accumulated in the integral capacity element of an integration circuit (10), and a voltage value V10 according to an accumulated charge quantity is output. The voltage value V10 is input to a comparison circuit (20) and compared with a specified threshold value for magnitude, and, when the input voltage value reaches the threshold value, a saturation signal (F1) indicating the reaching is output. An electric charge injection circuit (30) injects into an integral capacity element a constant quantity of charge reverse in polarity to charge accumulated in the integral capacity element in the integration circuit (10). A counting circuit (40) counts the number of times at which the voltage value V10 output from the integration circuit (10) reaches the threshold value based on a saturation signal output from the comparison circuit (20). A quantity of incident light is detected based on the count value by the counting circuit (40) and an output voltage value from the integration circuit (10).
(FR)
Selon la présente invention, une charge électrique produite en fonction de la quantité de lumière incidente sur une photodiode (PD) est accumulée dans l'élément de capacité intégrale d'un circuit d'intégration (10) et une valeur de tension V10, fonction d'une quantité de charge accumulée, est produite. Cette valeur de tension V10 est entrée dans un circuit de comparaison (20) et comparée à une valeur seuil d'amplitude donnée. Lorsque la valeur de tension entrée atteint la valeur seuil, un signal de saturation (F1) indiquant que cette valeur est atteinte est produit. Un circuit d'injection de charge électrique (30) injecte dans un élément de capacité intégrale une quantité de charge constante de polarité inverse de celle de la charge accumulée dans l'élément de capacité intégrale du circuit d'intégration (10). Un circuit de comptage (40) compte le nombre de fois que la valeur de tension V10 produite par le circuit d'intégration (10) atteint la valeur seuil, sur la base d'un signal de saturation produit par le circuit de comparaison (20). Une quantité de lumière incidente est détectée sur la base de la valeur comptée par le circuit de comptage (40) et d'une valeur de tension produite par le circuit d'intégration (10).
Également publié en tant que
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