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1. WO2003005567 - CONFIGURATION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MMIC A PETIT FACTEUR DE FORME

Numéro de publication WO/2003/005567
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/021486
Date du dépôt international 03.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 06.02.2003
CIB
H01L 27/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/088 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
CPC
H01L 2224/49111
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
49of a plurality of wire connectors
491Disposition
4911the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
49111the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
H01L 27/0207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
H01L 29/41758
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
41758for lateral devices with structured layout for source or drain region, i.e. the source or drain region having cellular, interdigitated or ring structure or being curved or angular
H01L 2924/01055
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
01Chemical elements
01055Cesium [Cs]
H01L 2924/12032
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
11Device type
12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
1203Rectifying Diode
12032Schottky diode
Déposants
  • NANOWAVE, INC. [US/US]; 1701 N. Greenville Avenue Suite 304 Richardson, TX 75081, US
Inventeurs
  • NELSON, Stephen, R.; US
Mandataires
  • RUDNICK, Holly, L.; Jenkens & Gilchrist, P.C. 1445 Ross Avenue Dallas, TX 75202, US
Données relatives à la priorité
09/900,56206.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SMALL ASPECT RATIO MMIC POWER AMPLIFIER LAYOUT
(FR) CONFIGURATION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MMIC A PETIT FACTEUR DE FORME
Abrégé
(EN)
Small aspect ratio, high power MMIC amplifier (300) is disclosed. The small aspect ratio MMIC amplifier is capable of achieving the same power levels as conventional power amplifiers, but with an aspect ratio of near 1:1, versus 4:1 of conventional power amplifiers. The small aspect ratio MMIC amplifier layout uses two different types of FETs (100A, 100B), with all gate fingers of both types of FETs running in the same direction. One type of FET is conventional FET, in which the gate stripes run parallel to the direction of the output. In the conventional FET, the gate manifold and the drain manifold both generally extend in the x-direction (parallel to each other). The other type of FET has gate fingers that run perpendicular to the direction of the output. In this other type of FET, the gate manifold generally extends in the x-direction, while the drain manifold generally extends in the y-direction (perpendicular to each other). By using two different types of FETs, large gate width power FETs can be placed on two, three or four sides of the MMIC.
(FR)
L'invention concerne un amplificateur MMIC à grande puissance et à petit facteur de forme (300). Ledit amplificateur MMIC à petit facteur de forme est capable d'atteindre les mêmes niveaux de puissance que les amplificateurs de puissance classiques, mais avec un facteur de forme de près de 1:1, contre 4:1 pour les amplificateurs de puissance classiques. La configuration de l'amplificateur MMIC à petit facteur de forme fait appel à deux types différents de TEC (100A, 100B), la totalité des doigts de grille des deux types de TEC étant orientés dans la même direction. L'un des types de TEC est le TEC classique, dans lequel les bandes de grille sont orientées parallèlement à la direction de sortie. Dans le TEC classique, le collecteur de grille et le collecteur de drain s'étendent généralement tous deux dans la direction x (ils sont parallèles l'un à l'autre). L'autre type de TEC possède des doigts de grille orientés perpendiculairement à la direction de sortie. Dans cet autre type de TEC, le collecteur de grille s'étend généralement dans la direction x, tandis que le collecteur de drain s'étend généralement dans la direction y (ils sont perpendiculaires l'un à l'autre). L'utilisation de deux types différents de TEC permet de placer des TEC de puissance à grande largeur de grille sur deux, trois ou quatre côtés du MMIC.
Également publié en tant que
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