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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003005523 - DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES COMPORTANT UNE POLARISATION AUTOMATIQUE SIMULTANEE ET DISTRIBUEE POUR DECLENCHEMENT DE DOIGTS MULTIPLES

Numéro de publication WO/2003/005523
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/020605
Date du dépôt international 01.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 23.01.2003
CIB
H01L 27/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
CPC
H01L 27/0266
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0248for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
0251for MOS devices
0266using field effect transistors as protective elements
H01L 29/0653
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0603characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
0642Isolation within the component, i.e. internal isolation
0649Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
0653adjoining the input or output region of a field-effect device, e.g. the source or drain region
H01L 29/0847
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
08with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
0843Source or drain regions of field-effect devices
0847of field-effect transistors with insulated gate
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • SARNOFF CORPORATION [US/US]; 201 Washington Road CN 5300 Princeton, NJ 08543, US
Inventeurs
  • ARMER, John; US
  • MERGENS, Markus, Paul, Josef; US
  • JOZWIAK, Phillip, Czeslaw; US
  • RUSS, Cornelius, Christian; US
Mandataires
  • MOSER, Raymond; Thomason, Moser & Patterson 595 Shrewsbury Avenue Shrewsbury, NJ 07702 , US
Données relatives à la priorité
10/159,80131.05.2002US
60/303,25605.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION DEVICE WITH SIMULTANEOUS AND DISTRIBUTED SELF-BIASING FOR MULTI-FINGER TURN-ON
(FR) DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES COMPORTANT UNE POLARISATION AUTOMATIQUE SIMULTANEE ET DISTRIBUEE POUR DECLENCHEMENT DE DOIGTS MULTIPLES
Abrégé
(EN)
An ESD protection device (150) including a simultaneously biased multi-finger turn-on MOS device for a semiconductor integrated circuit (IC) having protected circuitry. The ESD protection circuit (150) includes a multi-fingered NMOS transistor (100), where each finger (110) has a drain (112) and a source (114) for respectively coupling between an I/O pad (20) of the IC and ground (15), as well as a gate (116) for biasing the finger. An ESD detector (310) includes a PMOS transistor (311) having a source for coupling to the I/O pad of the IC, and a gate coupled to a supply voltage (90) of the IC. A parasitic capacitance (900) is formed between the supply line (91) of the IC and ground (15). A transfer circuit (320) having a first diode (321) is coupled between the drain of the PMOS transistor and the gate of each finger of the NMOS transistor.
(FR)
Circuit de protection (150) contre les décharges électrostatiques (ESD) comprenant un composant MOS de déclenchement de doigts multiples à polarisation simultanée conçu pour un circuit intégré à semi-conducteur (IC) possédant un réseau de circuits protégé. Ce circuit de protection ESD comporte un transistor NMOS (100) à doigts multiples, dont chaque doigt présente un drain et une source servant à effectuer un couplage respectif entre une plage d'entrée-sortie (20) du circuit intégré I/C et la terre (15), ainsi qu'une grille servant à polariser le doigt. Un détecteur ESD (310) comprend un transistor PMOS (311) possédant une source servant à réaliser un couplage avec la plage I/O du circuit intégré et une grille couplée à une tension d'alimentation (90) de ce circuit intégré. Une capacité parasite (900) est créée entre la ligne d'alimentation du circuit intégré et la terre. Un circuit de transfert (320) possédant une première diode (321) est couplé entre le drain du transistor PMOS et la grille de chaque doigt du transistor NMOS.
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