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1. WO2003005515 - DISPOSITIF LASER A SEMICONDUCTEUR GAN ET SYSTEME D'INFORMATION SUR DISQUE OPTIQUE UTILISANT CE DISPOSITIF LASER

Numéro de publication WO/2003/005515
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2001/005689
Date du dépôt international 02.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 11.10.2002
CIB
H01S 5/323 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
32comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
323dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
40Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
CPC
H01S 5/323
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
323in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, ; InP-based laser
H01S 5/32341
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
323in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, ; InP-based laser
32308emitting light at a wavelength less than 900 nm
32341blue laser based on GaN or GaP
H01S 5/4031
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
4031Edge-emitting structures
Déposants
  • NICHIA CORPORATION [JP/JP]; 491-100, Oka, Kaminaka-cho Anan-shi, Tokushima 774-8601, JP (AllExceptUS)
  • YAMADA, Takao [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • YAMADA, Takao; JP
Mandataires
  • ISHII, Hisao ; AOYAMA & PARTNERS IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0001, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) GAN SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, AND OPTICAL DISK INFORMATION SYSTEM USING THE LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER A SEMICONDUCTEUR GAN ET SYSTEME D'INFORMATION SUR DISQUE OPTIQUE UTILISANT CE DISPOSITIF LASER
Abrégé
(EN)
Two or more stripe structures (16 and 16') are disposed in one chip. The first stripe structure (16) is given a relaxation oscillation frequency fr1; and the second stripe structure (16') is given a relaxation oscillation frequency fr2 lower than fr1. An Rin value at a low output is improved by the first stripe structure (16) having the higher relaxation oscillation frequency, and the transverse mode singularity and the reliability at a high output are ensured by the second stripe structure (16') having the lower relaxation oscillation frequency.
(FR)
Au moins deux structure de bande (16, 16') sont placées sur une puce. On donne à la première structure (16) de bande une fréquence d'oscillation de relaxation fr1 et on donne à la deuxième structure (16') de bande une fréquence d'oscillation de relaxation fr2 inférieure à fr1. On améliore une valeur de bruit d'intensité relative à faible rendement grâce au fait que la première structure (16) de bande possède la fréquence d'oscillation de relaxation la plus haute. La singularité du mode transversal et la fiabilité à haut rendement sont assurées par le fait que la deuxième structure (16') de bande possède la fréquence d'oscillation de relaxation la plus basse.
Également publié en tant que
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