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Paramétrages

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1. WO2003005451 - TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPRENANT UN CANAL CONSTITUE DE NANOTUBES DE CARBONE

Numéro de publication WO/2003/005451
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006355
Date du dépôt international 25.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 25.06.2002
CIB
H01L 51/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30Emploi de matériaux spécifiés
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01L 51/0046
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0045Carbon containing materials, e.g. carbon nanotubes, fullerenes
0046Fullerenes, e.g. C60, C70
H01L 51/0048
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0045Carbon containing materials, e.g. carbon nanotubes, fullerenes
0048Carbon nanotubes
H01L 51/0541
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0541Lateral single gate single channel transistors with non inverted structure, i.e. the organic semiconductor layer is formed before the gate electode
Déposants
  • NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 108-8001, JP (AllExceptUS)
  • NIHEY, Fumiyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • NIHEY, Fumiyuki; JP
Mandataires
  • KANEDA, Nobuyuki ; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052, JP
Données relatives à la priorité
2001-20418205.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FIELD−EFFECT TRANSISTOR CONSTITUTING CHANNEL BY CARBON NANO TUBES
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPRENANT UN CANAL CONSTITUE DE NANOTUBES DE CARBONE
Abrégé
(EN)
A field−effect transistor including a channel arranged on a substrate, a source electrode connected to the starting end of the channel, a drain electrode connected to the terminating end of the channel, an insulator arranged on the top or side of the channel, and a gate electrode arranged via the insulator on the top or side of the channel, wherein the channel is composed of a plurality of carbon nano tubes.
(FR)
L'invention concerne un transistor à effet de champ qui comprend un canal agencé sur un substrat, une électrode de source reliée à l'extrémité de départ du canal, une électrode de drain reliée à l'extrémité d'arrivée du canal, un isolateur placé sur le dessus ou le côté du canal et une électrode de grille placée, via l'isolateur, sur le dessus ou le côté du canal, ce canal étant composé d'une pluralité de nanotubes de carbone
Également publié en tant que
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