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Paramétrages

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1. WO2003005449 - CONNEXION DE SUBSTRAT DANS UN CIRCUIT D'ALIMENTATION INTEGRE

Numéro de publication WO/2003/005449
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/021219
Date du dépôt international 02.07.2002
CIB
H01L 21/761 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
761Jonctions PN
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
CPC
H01L 21/761
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
761PN junctions
H01L 27/0623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0611integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
0617comprising components of the field-effect type
0623in combination with bipolar transistors
Déposants
  • TRIPATH TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 3900 Freedom Circle Suite 200 Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs
  • GEORGESCU, Sorin; US
  • SAWTELL, Carl; US
Mandataires
  • VILLENEUVE, Joseph, M.; Beyer Weaver & Thomas, LLP P.O. Box 778 Berkeley, CA 94704-0778, US
Données relatives à la priorité
60/302,77303.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE CONNECTION IN AN INTEGRATED POWER CIRCUIT
(FR) CONNEXION DE SUBSTRAT DANS UN CIRCUIT D'ALIMENTATION INTEGRE
Abrégé
(EN)
An integrated circuit is described having a substrate, a power transistor (M1) in a first region of the substrate, and a plurality of barrier regions (B1, B2) of the substrate around the first region. Each barrier region includes a barrier transistor (T4, T5) and at least one substrate connection connecting the barrier transistor to at least one floating region of the substrate adjacent the barrier region. During operation of the integrated circuit, the floating regions and the barrier transistors operate to inhibit operation of parasitic devices associated with the power transistor.
(FR)
L'invention concerne un circuit intégré présentant un substrat, un transistor d'alimentation (M1) dans une première région du substrat ainsi qu'une pluralité de régions formant barrière (B1, B2) du substrat autour de la première région. Chaque région formant barrière comprend un transistor de barrière (T4, T5) ainsi qu'au moins une connexion de substrat connectant le transistor de barrière à au moins une région flottante du substrat adjacente à la région formant barrière. Pendant le fonctionnement du circuit intégré, les régions flottantes ainsi que les transistors de barrière ont pour fonction d'empêcher le fonctionnement de dispositifs parasites associés au transistor d'alimentation.
Également publié en tant que
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