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Paramétrages

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1. WO2003005427 - SYSTEME DE TRAITEMENT ET PROCEDE DE NETTOYAGE

Numéro de publication WO/2003/005427
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006734
Date du dépôt international 03.07.2002
CIB
C23C 16/44 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
CPC
C23C 16/4405
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
H01L 21/67069
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67069for drying etching
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-8481, JP (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW)
  • ARAMI, Junichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • AKAHORI, Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • NAKASE, Risa [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • ARAMI, Junichi; JP
  • AKAHORI, Takashi; JP
  • NAKASE, Risa; JP
Mandataires
  • KIMURA, Mitsuru; 2nd Floor, Kyohan Building 7, Kandanishiki-cho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-0054, JP
Données relatives à la priorité
2001-20194603.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PROCESSING SYSTEM AND CLEANING METHOD
(FR) SYSTEME DE TRAITEMENT ET PROCEDE DE NETTOYAGE
Abrégé
(EN)
A processing system capable of performing dry cleaning by leading cleaning gas activated by plasma in an activator (110) into a processing chamber (101), wherein exhaust gas from the processing chamber (101) passes through a circulation line (128), is slowed down by a cryotrap (115) formed of a temperature trap utilizing a difference in steam pressure, and is re−used for cleaning.
(FR)
L'invention concerne un système de traitement permettant de mettre en oeuvre un nettoyage à sec, qui consiste à amener un gaz de nettoyage, activé par plasma dans un activateur (110), à l'intérieur d'une chambre (101) de traitement. Dans ce système, un gaz d'échappement provenant de la chambre (101) de traitement traverse une conduite (128) de circulation, est ralenti par un cryopiège (115) constitué d'un piège de température utilisant une différence de pression de vapeur, et est réutilisé à des fins de nettoyage.
Également publié en tant que
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