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Paramétrages

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1. WO2003005100 - STRUCTURES PIEZO-ELECTRIQUES A SURFACE OPTIQUE CONTROLABLE

Numéro de publication WO/2003/005100
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/012913
Date du dépôt international 24.04.2002
CIB
G02B 26/08 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
26Dispositifs ou systèmes optiques utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander l'intensité, la couleur, la phase, la polarisation ou la direction de la lumière, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation
08pour commander la direction de la lumière
H01L 41/22 2013.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
CPC
G02B 26/0858
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
26Optical devices or arrangements using movable or deformable optical elements for controlling the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light, e.g. switching, gating, modulating
08for controlling the direction of light
0816by means of one or more reflecting elements
0833the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
0858the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
H01L 41/319
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
31Applying piezo-electric or electrostrictive parts or bodies onto an electrical element or another base
314by depositing piezo-electric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
319using intermediate layers, e.g. for growth control
Déposants
  • MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US
Inventeurs
  • KLOSOWIAK, Tomasz, L.; US
  • GAMOTA, Daniel, R.; US
  • LEMPKOWSKI, Robert, B.; US
Mandataires
  • KOCH, William, E. ; Motorola Labs 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606, US
Données relatives à la priorité
09/897,05903.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PIEZOELECTRIC STRUCTURES HAVING CONTROLLABLE OPTICAL SURFACES
(FR) STRUCTURES PIEZO-ELECTRIQUES A SURFACE OPTIQUE CONTROLABLE
Abrégé
(EN)
High quality epitaxial layers of monocrystalline materials (126) can be grown overlying monocrystalline substrates (102) such as large silicon wafers by forming a compliant substrate for growing the monocrystalline layers. An accommodating buffer layer (104) comprises a layer of monocrystalline oxide spaced apart from a silicon wafer by an amorphous interface layer (108) of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. The accommodating buffer layer is lattice matched to both the underlying silicon wafer and the overlying monocrystalline material layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layer. In addition, formation of a compliant substrate may include utilizing surfactant enhanced epitaxy, epitaxial growth of single crystal silicon onto single crystal oxide, and epitaxial growth of Zintl phase materials. Further, various shaped piezoelectric structures (132) having optical surfaces (134) may be disposed on the overlying monocrystalline layer for optical switching and controlled manipulation of light signals.
(FR)
On peut faire croître des couches épitaxiales de haute qualité de matériaux monocristallin (126) au-dessus substrats monocristallins (102) tels que de grosses tranches de silicium en formant un substrat souple pour y faire croître les monocrystallines. La couche réceptrice tampon (104) comporte une couche monocristallin séparée de la tranche de silicium par une couche interface amorphe (108) d'oxyde de silicium qui dissipe les contraintes et permet la croissance d'une couche tampon réceptrice d'oxyde monocristallin de haute qualité. La couche tampon réceptrice dont le réseau cristallin correspond à la fois à celle de la tranche sous-jacente de silicium et à la couche sus-jacente de matériau monocristallin. Tout décalage du réseau entre la couche tampon réceptrice et le substrat de silicium sous-jacent est compensé par la couche interface amorphe. De plus, la formation d'un substrat souple peut comporter le recours à une épitaxie améliorée par tensio-actif, la croissance épitaxiale d'un unique cristal de silicium sur un oxyde de cristal unique; et la croissance épitaxiale de matériaux en phase Zintl. En outre on peut disposer sur la couche monocristalline sus-jacente différente structures piézo-électriques formées (132) présentant des surfaces optiques (134) permettant d'effectuer des commutations optiques et des manipulations contrôlées de signaux lumineux.
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