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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003004734 - PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SILICIUM A FAIBLE DENSITE DE DEFAUTS

Numéro de publication WO/2003/004734
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2001/044081
Date du dépôt international 22.10.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 03.06.2002
CIB
A61K 31/427 2006.01
ANÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
KPRÉPARATIONS À USAGE MÉDICAL, DENTAIRE OU POUR LA TOILETTE
31Préparations médicinales contenant des ingrédients actifs organiques 
33Composés hétérocycliques
395ayant l'azote comme hétéro-atome d'un cycle, p.ex. guanéthidine ou rifamycines
41ayant des cycles à cinq chaînons avec plusieurs hétéro-atomes cycliques, l'un au moins étant l'azote, p.ex. tétrazole
425Thiazoles
427non condensés et contenant d'autres hétérocycles
A61K 31/513 2006.01
ANÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
KPRÉPARATIONS À USAGE MÉDICAL, DENTAIRE OU POUR LA TOILETTE
31Préparations médicinales contenant des ingrédients actifs organiques 
33Composés hétérocycliques
395ayant l'azote comme hétéro-atome d'un cycle, p.ex. guanéthidine ou rifamycines
495ayant des cycles à six chaînons avec deux azote comme seuls hétéro-atomes d'un cycle, p.ex. pipérazine
505Pyrimidines; Pyrimidines hydrogénées, p.ex. triméthoprime
513ayant des groupes oxo liés directement à l'hétérocycle, p.ex. cytosine
A61K 31/675 2006.01
ANÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
KPRÉPARATIONS À USAGE MÉDICAL, DENTAIRE OU POUR LA TOILETTE
31Préparations médicinales contenant des ingrédients actifs organiques 
66Composés du phosphore
675ayant l'azote comme hétéro-atome d'un cycle, p.ex. phosphate de pyridoxal
A61K 31/7008 2006.01
ANÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
KPRÉPARATIONS À USAGE MÉDICAL, DENTAIRE OU POUR LA TOILETTE
31Préparations médicinales contenant des ingrédients actifs organiques 
70Hydrates de carbone; Sucres; Leurs dérivés
7008Composés ayant un groupe amino lié directement à un atome de carbone du radical saccharide, p.ex. D-galactosamine, ranimustine
A61K 31/704 2006.01
ANÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
KPRÉPARATIONS À USAGE MÉDICAL, DENTAIRE OU POUR LA TOILETTE
31Préparations médicinales contenant des ingrédients actifs organiques 
70Hydrates de carbone; Sucres; Leurs dérivés
7028Composés ayant des radicaux saccharide liés à des composés non-saccharide par des liaisons glycosidiques
7034liés à un composé carbocyclique, p.ex. phloridzine
704liés à un système carbocyclique condensé, p.ex. sennosides, thiocolchicosides, escine, daunorubicine, digitoxine
C30B 15/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
CPC
A61K 31/427
AHUMAN NECESSITIES
61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
KPREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL, OR TOILET PURPOSES
31Medicinal preparations containing organic active ingredients
33Heterocyclic compounds
395having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins
41having five-membered rings with two or more ring hetero atoms, at least one of which being nitrogen, e.g. tetrazole
425Thiazoles
427not condensed and containing further heterocyclic rings
A61K 31/513
AHUMAN NECESSITIES
61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
KPREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL, OR TOILET PURPOSES
31Medicinal preparations containing organic active ingredients
33Heterocyclic compounds
395having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins
495having six-membered rings with two ; or more; nitrogen atoms as the only ring heteroatoms, e.g. piperazine ; or tetrazines
505Pyrimidines; Hydrogenated pyrimidines, e.g. trimethoprim
513having oxo groups directly attached to the heterocyclic ring, e.g. cytosine
A61K 31/675
AHUMAN NECESSITIES
61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
KPREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL, OR TOILET PURPOSES
31Medicinal preparations containing organic active ingredients
66Phosphorus compounds
675having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. pyridoxal phosphate
A61K 31/7008
AHUMAN NECESSITIES
61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
KPREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL, OR TOILET PURPOSES
31Medicinal preparations containing organic active ingredients
70Carbohydrates; Sugars; Derivatives thereof
7008Compounds having an amino group directly attached to a carbon atom of the saccharide radical, e.g. D-galactosamine, ranimustine
A61K 31/704
AHUMAN NECESSITIES
61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
KPREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL, OR TOILET PURPOSES
31Medicinal preparations containing organic active ingredients
70Carbohydrates; Sugars; Derivatives thereof
7028Compounds having saccharide radicals attached to non-saccharide compounds by glycosidic linkages
7034attached to a carbocyclic compound, e.g. phloridzin
704attached to a condensed carbocyclic ring system, e.g. sennosides, thiocolchicosides, escin, daunorubicin
C30B 15/203
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
203the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
Déposants
  • MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 8 501 Pearl Drive St. Peters, MO 63376, US
Inventeurs
  • VORONKOV, Vladimir; IT
  • FALSTER, Robert, J.; US
  • BANAN, Mohsen; US
Mandataires
  • SCHUTH, Richard, A. ; Senniger, Powers, Leavitt & Roedel One Metropolitan Square Suite 1600 St. Louis, MO 63102, US
Données relatives à la priorité
09/871,25531.05.2001US
09/972,60805.10.2001US
60/245,61003.11.2000US
60/252,71522.11.2000US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF LOW DEFECT DENSITY SILICON
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SILICIUM A FAIBLE DENSITE DE DEFAUTS
Abrégé
(EN)
A process for the preparation of a silicon single ingot in accordance with the Czochralski method. The process for growing the single crystal silicon ingot comprises controlling (i) a growth velocity, v, (ii) an average axial temperature gradient, G0, during the growth of a constant diameter portion of the crystal over a temperature range from solidification to a temperature of no less than about 1325 C to initially produce in the constant diameter portion of the ingot a series of predominant intrinsic point defects including vacancy dominated regions and silicon self interstitial dominated regions, alternating along the axis, and cooling the regions from the temperature of solidification at a rate which allows silicon self-interstitial atoms to diffuse radially to the lateral surface and to diffuse axially to vacancy dominated regions to reduce the concentration intrinsic point defects in each region.
(FR)
L'invention concerne un procédé de préparation d'un lingot de silicium monocristallin selon le procédé de Czochralski. Ce procédé de formation d'un lingot de silicium monocristallin consiste à réguler (i) une vitesse de croissance, v, et (ii) un gradient de température axiale moyen, G0, pendant la croissance d'une partie à diamètre constant du cristal dans une plage de températures comprises entre la température de solidification et une température supérieure ou égale à environ 1325 °C, d'où la production initiale, dans la partie à diamètre constant dudit lingot, d'une série de défauts ponctuels intrinsèques prédominants comprenant des zones à prédominance des lacunes et des zones à prédominance des auto-interstitiels de silicium, en alternance le long d'un axe. Ledit procédé consiste ensuite à refroidir ces zones à partir de la température de solidification à une vitesse permettant aux atomes auto-interstitiels de silicium de se diffuser radialement vers la surface latérale et de se diffuser axialement vers les zones dominées par les lacunes, d'où une réduction des défauts ponctuels intrinsèques de concentration dans chaque zone.
Également publié en tant que
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