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Paramétrages

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1. WO2003004416 - TITANATE DE BARYUM ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE

Numéro de publication WO/2003/004416
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006819
Date du dépôt international 04.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 10.10.2002
CIB
C01G 23/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
23Composés du titane
H01G 4/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
GCONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
002Détails
018Diélectriques
06Diélectriques solides
08Diélectriques inorganiques
12Diélectriques céramiques
CPC
C01G 23/006
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
23Compounds of titanium
003Titanates
006Alkaline earth titanates
C01P 2002/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
30Three-dimensional structures
34perovskite-type (ABO3)
C01P 2002/76
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
76by a space-group or by other symmetry indications
C01P 2002/77
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
77by unit-cell parameters, atom positions or structure diagrams
C01P 2002/88
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
80defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
88by thermal analysis data, e.g. TGA, DTA, DSC
C01P 2006/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2006Physical properties of inorganic compounds
12Surface area
Déposants
  • SHOWA DENKO K. K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8518, JP
Inventeurs
  • SHIRAKAWA, Akihiko; JP
  • YOKOUCHI, Hitoshi; JP
Mandataires
  • ISHIDA, Takashi ; A. Aoki, Ishida & Associates Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku Tokyo 105-8423, JP
Données relatives à la priorité
2001-20329904.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) BARIUM TITANATE AND ITS PRODUCTION METHOD
(FR) TITANATE DE BARYUM ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
Abrégé
(EN)
A barium titanate used for producing a dielectric porcelain thin−film necessary for a miniature capacitor leading to reduction of the size of an electronic device, having a small grain diameter, containing a less amount of unwanted impurities, and excellent in electric characteristics and its production method are disclosed. A sol of titanium oxide is reacted with a barium compound in an alkaline solution where a basic compound is present, the basic compound is removed as a gas after the reaction, and the slurry is baked, thus producing a barium titanate having a large FET specific surface and a high tetragonal system crystallinity.
(FR)
L'invention concerne un titanate de baryum utilisé dans la production d'un film mince de porcelaine diélectrique, nécessaire à la réalisation d'un condensateur miniature pour réduire les dimensions d'un dispositif électronique, présentant une faible grosseur de grain, contenant une moindre quantité d'impuretés indésirables et offrant d'excellentes qualités électriques. La présente invention porte également sur un procédé de production associé. Un sol d'oxyde de titane est mis à réagir avec un composé de baryum dans une solution alcaline comportant un composé de base, lequel s'échappe sous forme de gaz après la réaction. La pâte est alors cuite et on obtient ainsi un titanate de baryum comportant une grande surface spécifique de transistor à effet de champ et une haute cristallinité à système tétragonal.
Également publié en tant que
EP2013000671
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