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Paramétrages

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1. WO2003003469 - PROCEDE ET APPAREIL D'ENERGISATION DE PUITS QUANTIQUES

Numéro de publication WO/2003/003469
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/020369
Date du dépôt international 28.06.2002
CIB
H01L 29/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
15Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
H01L 31/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
H01L 49/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
H01L 29/155
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
15Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
151Compositional structures
152with quantum effects only in vertical direction, i.e. layered structures with quantum effects solely resulting from vertical potential variation
155Comprising only semiconductor materials
H01L 31/0304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
0304including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
H01L 31/0352
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0352characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01S 2301/173
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
17Semiconductor lasers comprising special layers
173The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
Déposants
  • NEOKISMET, L.L.C. [US/US]; 456 Montgomery Street Suite 1350 San Francisco, CA 94104, US
Inventeurs
  • GIDWANI, Jawahar, M.; US
  • ZUPPERO, Anthony, C.; US
Mandataires
  • GASPARO, Frank, M. ; Baker & McKenzie 805 Third Avenue New York, NY 10022, US
Données relatives à la priorité
60/302,27429.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) QUANTUM WELL ENERGIZING METHOD AND APPARATUS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL D'ENERGISATION DE PUITS QUANTIQUES
Abrégé
(EN)
A method and apparatus that converts energy provided by a chemical reaction into energy for charging a quantum well device. The disclosed apparatus comprises a catalyst layer (120) that catalyzes a chemical reaction and captures hot electrons and hot phonons generated by the chemical reaction, and an interface layer (115) placed between the catalyst layer (120) and a quantum well (110). The interface layer (115) facilitates the transfer of hot electrons and hot phonons from the catalyst layer (120) into the quantum well layer (110). The interface layer (115) can also convert hot electrons into hot phonons, and vice versa, depending upon the needs of the particular quantum well device. Because the hot electrons and the hot phonons are unstable and readily degrade into heat energy, the dimensions of the catalyst layer (120) and the interface layer (115) are very small.
(FR)
L'invention concerne un procédé et un appareil convertissant l'énergie générée par une réaction chimique en énergie de charge d'un dispositif à puits quantiques. L'appareil de l'invention comprend une couche catalytique (120) catalysant une réaction chimique et capturant des électrons chauds et des phonons chauds générés par la réaction chimique, et une couche (115) interface placée entre la couche catalytique (120) et un puits quantique (110). La couche (115) interface facilite le transfert des électrons chauds et des phonons chauds de la couche catalytique (120) dans la couche (110) à puits quantique. La couche (115) interface peut également convertir les électrons chauds en phonons chauds, et vice versa, en fonction des besoins particuliers du dispositif à puits quantiques. Les électrons chauds et les phonons chauds étant instables et se dégradant facilement en énergie thermique, les dimensions de la couche catalytique (120) et la couche (115) interface sont très réduites.
Également publié en tant que
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