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Paramétrages

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1. WO2003003442 - TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2003/003442
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/EP2002/007028
Date du dépôt international 25.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 28.01.2003
CIB
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
CPC
H01L 29/66484
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66484with multiple gate, at least one gate being an insulated gate
H01L 29/66795
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66787with a gate at the side of the channel
66795with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
H01L 29/7831
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
7831with multiple gate structure
H01L 29/7851
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
785having a channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
7851with the body tied to the substrate
H01L 29/7854
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
785having a channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
7853the body having a non-rectangular crossection
7854with rounded corners
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
  • POPP, Martin [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • RICHTER, Frank [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • TEMMLER, Dietmar [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • WICH-GLASEN, Andreas [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • POPP, Martin; DE
  • RICHTER, Frank; DE
  • TEMMLER, Dietmar; DE
  • WICH-GLASEN, Andreas; DE
Mandataires
  • ZIMMERMANN & PARTNER ; Postfach 330 920 80069 München, DE
Données relatives à la priorité
101 31 276.828.06.2001DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(DE)
Bei dem erfindungsgemäßen Feldeffekttransistor wird das planare Kanalgebiet an der oberen Oberfläche der Erhebung durch zusätzliche vertikale Kanalgebiete an den Seitenflächen der Erhebung in der Weite ausgedehnt. Diese zusätzlichen vertikalen Kanalgebiete schließen sich unmittelbar an das planare Kanalgebiet an (vertical extended channel regions). Der erfindungsgemässe Feldeffekttransistor besitzt den Vorteil, dass eine deutliche Erhöhung der für den Flussstrom ION wirksamen Kanalweite gegenüber bisher verwendeten, konventionellen Transistorstrukturen gewährleistest werden kann, ohne dass eine Verringerung der erzielbaren Integrationsdichte hingenommen werden muss. Weiterhin besitzt der erfindungsgemässe Feldeffekttransistor eine geringen Sperrstrom IOFF. Diese Vorteile werden erzielt, ohne dass die Dicke des Gate-Isolators bis in den Bereich des Tunnels von Ladungsträgern oder einer verminderten Stabilität verringert werden muss.
(EN)
The invention relates to a field effect transistor in which the planar channel region on the upper surface of the elevation is extended in width by means of additional vertical channel regions on the lateral surfaces of the elevation. Said additional vertical channel regions connect directly to the planar channel region (vertical extended channel regions). Said field effect transistor has the advantage that a significant increase in the effective channel width for the current flow ION can be guaranteed relative to conventional transistor structures used up until the present, without having to accept a reduction in the achievable integration density. Said field effect transistor furthermore has a low reverse current IOFF. The above advantages are achieved without the thickness of the gate insulators up to the region of the charge transfer tunnels having to be reduced or a reduced stability.
(FR)
L'invention concerne un transistor à effet de champ caractérisé en ce que la région canal plane à la surface supérieure de la surélévation est étendue en largeur au moyen de régions canal verticales supplémentaires. Ces dernières se raccordent directement à la région canal plane (régions canal s'étendant verticalement). Le transistor à effet de champ selon l'invention présente l'avantage qu'un accroissement significatif de la largeur effective du canal pour le courant direct ION peut être garanti par rapport aux structures de transistor conventionnelles utilisées jusqu'à présent, sans qu'il en résulte une réduction de la densité d'intégration à obtenir. De plus, le transistor à effet de champ selon l'invention présente un faible courant inverse IOFF. Ces avantages sont obtenus sans que l'épaisseur de l'isolant de grille allant jusqu'à la région du tunnel de supports de charge soit réduite ou soit d'une stabilité réduite.
Également publié en tant que
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