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Paramétrages

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1. WO2003003441 - PROCEDE DE PRODUCTION DE PLAQUETTE RECUITE ET PLAQUETTE RECUITE AINSI OBTENUE

Numéro de publication WO/2003/003441
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006367
Date du dépôt international 25.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 18.12.2002
CIB
C30B 33/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
H01L 21/324 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
CPC
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 33/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
H01L 21/3225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
322to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
3221of silicon bodies, e.g. for gettering
3225Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering
H01L 21/324
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Déposants
  • SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005, JP (AllExceptUS)
  • KOBAYASHI, Norihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • TAMATSUKA, Masaro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • NAGOYA, Takatoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • QU, Wei Feig [CN/JP]; JP (UsOnly)
  • TAKENO, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • AIHARA, Ken [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • KOBAYASHI, Norihiro; JP
  • TAMATSUKA, Masaro; JP
  • NAGOYA, Takatoshi; JP
  • QU, Wei Feig; JP
  • TAKENO, Hiroshi; JP
  • AIHARA, Ken; JP
Mandataires
  • YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 111-0041, JP
Données relatives à la priorité
2001-19599428.06.2001JP
2002-1858428.01.2002JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PRODUCTION METHOD FOR ANNEAL WAFER AND ANNEAL WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE PLAQUETTE RECUITE ET PLAQUETTE RECUITE AINSI OBTENUE
Abrégé
(EN)
A production method for an anneal wafer which heat−treats a silicon single crystal wafer at least 200 mm in diameter, produced by a Czochralski (CZ) method, under an atmosphere of argon gas, hydrogen gas or a mixture gas of these at temperatures as high as 1100−1350°C for 10−600 min, characterized in that a pre−anneal is carried out at temperatures lower than the above high heat treating temperature prior to the high−temperature heat treating to thereby grow oxygen deposits and restrict the growth of slip dislocation. The production method for an anneal wafer and an anneal wafer which restrict the occurrence and growth of slip dislocation to be caused by high−temperature heat treating and reduce the defect density of a wafer surface layer even in the case of a silicon single crystal wafer large in diameter of at least 200 mm.
(FR)
Procédé de production d'une plaquette recuite qui consiste à traiter par la chaleur une plaquette de silicium monocristallin ayant au moins 200 mm de diamètre, produite par un procédé Czochralski (CZ), dans une atmosphère d'argon, d'hydrogène ou d'un mélange desdits gaz, à une température située entre 1100 et 1350 °C pendant 10 à 600 min. Ledit procédé est caractérisé en ce qu'un pré-recuit est effectué à des températures inférieures à la température de traitement par la chaleur élevée susmentionnée pour faire croître des dépôts d'oxygène et restreindre la croissance de la dislocation par glissement. La présente invention concerne également la plaquette recuite ainsi obtenue dans laquelle sont limitées l'occurrence et la croissance de la dislocation par glissement provoquées par le traitement à la chaleur à haute température. Ledit procédé permet également de réduire la densité des défauts d'une couche de surface, même dans le cas d'un plaquette de silicium monocristallin ayant un diamètre d'au moins 200 mm.
Également publié en tant que
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