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Paramétrages

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1. WO2003003440 - DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2003/003440
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006508
Date du dépôt international 27.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 16.12.2002
CIB
C23C 18/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
02par décomposition thermique
12caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
H01L 21/316 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
C23C 18/1208
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
02by thermal decomposition
12characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
1204inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
1208Oxides, e.g. ceramics
C23C 18/1225
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
02by thermal decomposition
12characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
1225Deposition of multilayers of inorganic material
H01L 21/02126
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02126the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
H01L 21/02197
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02172the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
02197the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
H01L 21/02203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02203the layer being porous
H01L 21/02216
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
02208the precursor containing a compound comprising Si
02214the compound comprising silicon and oxygen
02216the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
Déposants
  • ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho Ukyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 615-8585, JP (AllExceptUS)
  • OKU, Yoshiaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • NISHIYAMA, Norikazu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • UEYAMA, Korekazu [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • OKU, Yoshiaki; JP
  • NISHIYAMA, Norikazu; JP
  • UEYAMA, Korekazu; JP
Mandataires
  • OGURI, Shohei ; Eikoh Patent Office, 28th Floor ARK Mori Building 12-32, Akasaka 1-chome Minato-ku Tokyo 107-6028, JP
Données relatives à la priorité
2001-19894329.06.2001JP
2001-19894429.06.2001JP
2001-19896429.06.2001JP
2001-19896529.06.2001JP
2001-19899029.06.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
An insulation film low in permittivity and high in mechanical strength is provided. The cyclic auto−agglomerate of a surfactant is formed from a precursor solution containing a silica derivative and a surfactant. Then, the surfactant is completely pyrolyzed and removed to form an inorganic insulation film comprising a cyclic porous structure oriented to be parallel to the surface of a substrate or containing laminar cylindrical holes.
(FR)
L'invention concerne un film isolant possédant une très faible permittivité et une résistance mécanique élevée. Un auto-agglomérat cyclique de tensioactif est formé à partir d'une solution précurseur contenant un dérivé de silicium et un tensio-actif. Ce tensio-actif est ensuite complètement pyrolisé et prélevé pour former un film isolant inorganique possédant une structure poreuse cyclique orientée parallèlement à la surface d'un substrat ou pourvue de trous cylindriques laminaires.
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