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Paramétrages

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1. WO2003003378 - PROCEDE ET CIRCUIT DE REFERENCE DE TENSION DE CIRCUIT EEPROM DESTINES A FOURNIR UNE REFERENCE DE TENSION A FAIBLE COEFFICIENT THERMIQUE

Numéro de publication WO/2003/003378
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/EP2002/003700
Date du dépôt international 29.03.2002
CIB
G11C 16/04 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
04utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
G11C 27/00 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
27Mémoires analogiques électriques, p.ex. pour emmagasiner des valeurs instantanées
CPC
G11C 16/0441
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0408comprising cells containing floating gate transistors
0441comprising cells containing multiple floating gate devices, e.g. separate read-and-write FAMOS transistors with connected floating gates
G11C 27/005
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
27Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
005with non-volatile charge storage, e.g. on floating gate or MNOS
G11C 7/04
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
04with means for avoiding disturbances due to temperature effects
Déposants
  • MOTOROLA INC [US/US]; 1303 E.Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US (AllExceptUS)
  • SICARD, Thierry [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • CARMAN, Eric [US/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs
  • SICARD, Thierry; FR
  • CARMAN, Eric; FR
Mandataires
  • POTTS, Susan; Motorola European Intellectual Property Operations Midpoint, Alencon Link Basingstoke, Hampshire RG21 7PL, GB
Données relatives à la priorité
01401682.826.06.2001EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) EEPROM CIRCUIT VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT AND METHOD FOR PROVIDING A LOW TEMPERATURE-COEFFICIENT VOLTAGE REFERENCE
(FR) PROCEDE ET CIRCUIT DE REFERENCE DE TENSION DE CIRCUIT EEPROM DESTINES A FOURNIR UNE REFERENCE DE TENSION A FAIBLE COEFFICIENT THERMIQUE
Abrégé
(EN)
A voltage reference circuit (40) is provided for producing a low temerature-coefficient analogue trim value. A pair of EEPROMs (50 and 60) are arranged such that the trim value is the difference between two EEPROM transistor threshold voltages. The substantially temperature dependent components of threshold voltage cancel out leaving only the substantially temperature independent trim value. Therefor the temperature coefficient of the voltage reference circuit (40) is negligible.
(FR)
L'invention concerne un circuit de référence de tension (40) destiné à produire une valeur d'appoint analogique à faible coefficient thermique. Une paire d'EEPROM (50 et 60) est disposée de manière que la valeur d'appoint représente la différence entre les deux tensions de seuil du transistor EEPROM. Les composants sensiblement dépendants de la température de la tension de seuil s'éliminent ne laissant que la valeur d'appoint sensiblement indépendante de la température. C'est pourquoi le coefficient de température du circuit de référence de tension (40) importe peu.
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