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Paramétrages

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1. WO2003003124 - COMPOSITION DE DECAPAGE DE PHOTORESINE

Numéro de publication WO/2003/003124
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006216
Date du dépôt international 21.06.2002
CIB
G03F 7/42 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
42Elimination des réserves ou agents à cet effet
CPC
G03F 7/425
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
42Stripping or agents therefor
422using liquids only
425containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Déposants
  • MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 5-2, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005, JP (AllExceptUS)
  • IKEMOTO, Kazuto [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • ABE, Hisaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • MARUYAMA, Taketo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • AOYAMA, Tetsuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • IKEMOTO, Kazuto; JP
  • ABE, Hisaki; JP
  • MARUYAMA, Taketo; JP
  • AOYAMA, Tetsuo; JP
Mandataires
  • OHTANI, Tamotsu; Bridgestone Toranomon BLDG., 6F. 25-2, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 105-0001, JP
Données relatives à la priorité
2001-19793529.06.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PHOTORESIST STRIPPER COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE DECAPAGE DE PHOTORESINE
Abrégé
(EN)
A photoresist stripper composition containing an amine compound and at least one alkanolamide compound selected from the group consisting of compounds represented by the general formulae (I) and (II) and polymers of compounds of the general formula (I) wherein R1 is alkenyl: (I) (II) (wherein R1, R2 and R3 are each as defined in the description). The stripper composition makes it possible to strip extremely easily a photoresist layer remaining after etching and resist residue after ashing without corroding wiring material and so on.
(FR)
L'invention concerne une composition de décapage de photorésine contenant un composé amine et au moins un composé alcanolamide choisis dans le groupe constitué par des composés représentés par les formules générales (I) et (II) et des polymères des composés de formule générale (I), dans laquelle R1 et alcényle. Dans les formules (I) et (II), R1, R2 et R3 sont tels que définis dans la description. Ladite composition de décapage permet de décaper une couche de photorésine résiduaire résultant d'une gravure et un résidu de résine résultant d'une incinération avec une extrême facilité tout en évitant une corrosion du matériau de câblage, etc.
Également publié en tant que
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