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Paramétrages

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1. WO2003002990 - UTILISATION DE LA DIFFUSOMETRIE DANS LE DEVELOPPEMENT D'UNE IMAGE DE GRAVURE EN TEMPS REEL

Numéro de publication WO/2003/002990
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/002990
Date du dépôt international 31.01.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 17.01.2003
CIB
G01N 21/47 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
47Dispersion, c. à d. réflexion diffuse
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
G01N 21/4738
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
47Scattering, i.e. diffuse reflection
4738Diffuse reflection
H01J 37/32935
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32917Plasma diagnostics
32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
H01L 21/67069
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67069for drying etching
H01L 21/67253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
H01L 21/7681
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76802by forming openings in dielectrics
76807for dual damascene structures
7681involving one or more buried masks
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Déposants
  • ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68 P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453, US
Inventeurs
  • SUBRAMANIAN, Ramkumar; US
  • RANGARAJAN, Bharath; US
  • SINGH, Bhanwar; US
  • TEMPLETON, Michael, K.; US
Mandataires
  • RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc. One AMD Place, Mail Stop 68 Sunnyvale, CA 94088-3453, US
  • Picker, Madeline M Brookes & Batchellor; 102-108 Clerkenwell Road London EC1M 5SA WC1V 6SE, GB
Données relatives à la priorité
09/893,18627.06.2001US
09/893,27127.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) USING SCATTEROMETRY TO DEVELOP REAL TIME ETCH IMAGE
(FR) UTILISATION DE LA DIFFUSOMETRIE DANS LE DEVELOPPEMENT D'UNE IMAGE DE GRAVURE EN TEMPS REEL
Abrégé
(EN)
A system (1000) for characterizing an etch process, such as forming a dual damascene structure, via scatterometry based real time imaging is provided. The system (1000) includes one or more light sources (1020), each light source directing light to one or more features and/or gratings (1015) on a wafer (1010). Light reflected from the features and/or gratings (1015) is collected by a measuring system (1070), which processes the collected light. The collected light is indicative of the etch results achieved at respective portions of the wafer (1010). The measuring system (1070) provides etching related data to a processor (1040) that determines the desirability of the etching of the respective portions of the wafer (1010). The system (1000) also includes one or more etching devices (1030), each such device corresponding to a portion of the wafer (1010) and providing for the etching thereof. The processor (1040) produces a real time etch image to characterize the progress of the etching and, in one example, produces suggested adaptations to the etch process.
(FR)
L'invention concerne un système (1000) permettant de caractériser un procédé de gravure, tel qu'un procédé de formation d'une structure double damascène, par l'intermédiaire d'une imagerie en temps réel basée sur la diffusométrie. Le système (1000) selon l'invention comprend au moins une source lumineuse (1020), chaque source lumineuse dirigeant la lumière vers au moins un élément et/ou un réseau gravé (1015) sur une plaquette (1010). La lumière réfléchie des éléments et/ou des réseaux gravés (1015) est recueillie par un système de mesure (1070) qui traite la lumière recueillie. La lumière recueillie donne des indications sur les résultats de gravure obtenus au niveau de parties respectives de la plaquette (1010). Ce système de mesure (1070) transmet des données relatives à la gravure à un processeur (1040) qui détermine la désirabilité de la gravure des parties respectives de la plaquette (1010). Le système (1000) selon l'invention comprend également au moins un dispositif de gravure (1030). Chacun de ces dispositifs correspond à une partie de la plaquette (1010) et permet la gravure de ladite plaquette. Le processeur (1040) produit une image de gravure en temps réel pour caractériser la progression de la gravure et il produit, selon un exemple, des adaptations suggérées du procédé de gravure.
Également publié en tant que
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