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Paramétrages

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1. WO2003001658 - DISPOSITIF DE SUPPORT ELECTROSTATIQUE EN NITRURE DE BORE A RESISTIVITE REGLEE POUR RETENIR UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI

Numéro de publication WO/2003/001658
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/019342
Date du dépôt international 18.06.2002
CIB
H02N 13/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
NMACHINES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
13Embrayages ou dispositifs de maintien utilisant l'attraction électrostatique, p.ex. utilisant l'effet Johnson-Rahbek
CPC
H02N 13/00
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
13Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Y10T 279/23
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
279Chucks or sockets
23with magnetic or electrostatic means
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs
  • PARKHE, Vijay, D.; US
  • DESHPANDEY, Chandra, V.; US
Mandataires
  • PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, LLP 3040 Post Oak Blvd. Suite 1500 Houston, TX 77056, US
Données relatives à la priorité
09/885,64620.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CONTROLLED RESISTIVITY BORON NITRIDE ELECTROSTATIC CHUCK APPARATUS FOR RETAINING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE SUPPORT ELECTROSTATIQUE EN NITRURE DE BORE A RESISTIVITE REGLEE POUR RETENIR UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abrégé
(EN)
Apparatus (Figure 1) for retaining a workpiece in a semiconductor processing chamber (100) and method for fabricating the same. In one embodiment, a method for fabricating the apparatus includes providing a controlled resistivity boron nitride (CRBN) plate. A conductive layer is disposed on a portion of a lower surface of the CRBN plate to form at least one chucking electrode (116). A layer of boron nitride powder is disposed on the conductive layer and the lower surface of the CRBN plate. The CRBN plate, the conductive layer, and the boron nitride powder are hot pressed together to form the apparatus. In a second embodiment, a conductive electrode layer is deposited on a portion of a lower surface of the CRBN plate. A layer of pyrolytic boron nitride is deposited on the conductive layer and the lower surface of the CRBN plate to form the apparatus.
(FR)
Dispositif (figure 1) servant à retenir une pièce à travailler dans une chambre (100) de traitement de semi-conducteurs et procédé de fabrication de celui-ci. Dans une forme de réalisation, l'invention concerne un procédé de fabrication du dispositif, qui comporte les étapes consistant à : prévoir une plaque de nitrure de bore à résistivité réglée (CRBN) ; déposer une couche conductrice sur une partie de la surface inférieure de la plaque CRBN pour former au moins une électrode (116) de support ; déposer une couche de poudre de nitrure de bore sur la couche conductrice et sur la surface inférieure de la plaque CRBN ; presser à chaud la plaque CRBN, la couche conductrice et la poudre de nitrure de bore pour former le dispositif. Dans une deuxième forme de réalisation, une couche d'électrode conductrice est déposée sur une partie de la surface inférieure de la plaque CRBN ; une couche de nitrure de bore pyrolytique est déposée sur la couche conductrice et sur la surface inférieure de la plaque CRBN pour former le dispositif.
Également publié en tant que
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