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Paramétrages

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1. WO2003001603 - TRANSISTOR BIPOLAIRE AVEC BASE EXTRINSEQUE SURELEVEE FABRIQUE DANS UN CIRCUIT INTEGRE BICMOS

Numéro de publication WO/2003/001603
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/EP2002/006919
Date du dépôt international 04.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 26.11.2002
CIB
H01L 21/331 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
33les dispositifs comportant trois électrodes ou plus
331Transistors
H01L 21/8249 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8248Combinaison de technologie bipolaire et de technologie à effet de champ
8249Technologie bipolaire et MOS
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
CPC
H01L 21/8249
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8248Combination of bipolar and field-effect technology
8249Bipolar and MOS technology
H01L 27/0623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0611integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
0617comprising components of the field-effect type
0623in combination with bipolar transistors
H01L 29/66287
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66234Bipolar junction transistors [BJT]
66272Silicon vertical transistors
66287with a single crystalline emitter, collector or base including extrinsic, link or graft base formed on the silicon substrate, e.g. by epitaxy, recrystallisation, after insulating device isolation
Déposants
  • INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NJ 10504, US (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW)
  • COMPAGNIE IBM FRANCE [FR/FR]; Tour Descartes-La Défense 5 2, avenue Gambetta F-92400 Courbevoie, FR (MC)
Inventeurs
  • AHLGREN, David, C.; US
  • FREEMAN, Gregory, G.; US
  • HUANG, Feng, Yi; US
  • TICKNOR, Adam, T.; US
Mandataires
  • KLEIN, Daniel; Compagnie IBM France Direction de la Propriété Intellectuelle F-06610 La Gaude, FR
Données relatives à la priorité
09/887,31022.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BIPOLAR TRANSISTOR WITH RAISED EXTRINSIC BASE FABRICATED IN AN INTEGRATED BICMOS CIRCUIT
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE AVEC BASE EXTRINSEQUE SURELEVEE FABRIQUE DANS UN CIRCUIT INTEGRE BICMOS
Abrégé
(EN)
A process for forming a bipolar transistor with a raised extrinsic base (310) over the base (190), an emitter (350), and a buried collector (105) integrated with a CMOS transistor. An intermediate semiconductor structure is provided having CMOS and bipolar areas. An intrinsic base layer is provided in the bipolar area. A base oxide is formed across, and a sacrificial emitter stack silicon layer is deposited on, both the CMOS and bipolar areas. A photoresist is applied to protect the bipolar area and the structure is etched to remove the sacrificial layer from the CMOS area only such that the top surface of the sacrificial layer on the bipolar area is substantially flush with the top surface of the CMOS area. Finally, a polish stop layer is deposited having a substantially flat top surface across both the CMOS and bipolar areas suitable for subsequent chemical-mechanical polishing (CMP) to form the raised extrinsic base.
(FR)
Procédé pour former un transistor bipolaire avec une base extrinsèque surélevée (310) au-dessus de la base (190), un émetteur (350) et un collecteur enfoui (105) intégré à un transistor CMOS. Une structure de semi-conducteur intermédiaire comprend des zones CMOS et bipolaires. Dans la zone bipolaire on a réalisé une couche de base intrinsèque. Un oxyde de base est formé dans ces zones, et une couche de silicium sacrificielle à piles d'émetteurs est déposée dans les zones CMOS et bipolaires. Une photorésine est appliquée pour protéger la zone bipolaire, et la structure est gravée afin que la couche sacrificielle soit enlevée de la zone CMOS, de manière à ce que seule la surface supérieure de la couche sacrificielle dans la zone bipolaire affleure sensiblement la surface supérieure de la zone CMOS. Au stade final, une couche d'arrêt de polissage est déposée sur le dispositif; elle présente une surface supérieure sensiblement plane dans les zones CMOS et bipolaires, que l'on soumet ensuite au polissage chimico-mécanique (CMP) afin de former une base extrinsèque surélevée.
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