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1. WO2003001592 - PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2003/001592
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006072
Date du dépôt international 18.06.2002
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/8238 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8238Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
CPC
H01L 21/823835
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
823828with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
823835silicided or salicided gate conductors
H01L 21/823842
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
823828with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
823842gate conductors with different gate conductor materials or different gate conductor implants, e.g. dual gate structures
H01L 27/0629
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0611integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
0617comprising components of the field-effect type
0629in combination with diodes, or resistors, or capacitors
H01L 28/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
20Resistors
Déposants
  • SEIKO INSTRUMENTS INC. [JP/JP]; 8, Nakase 1-chome, Mihama-ku Chiba-shi, Chiba 261-8507, JP (AllExceptUS)
  • HASEGAWA, Hisashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • OSANAI, Jun [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • HASEGAWA, Hisashi; JP
  • OSANAI, Jun; JP
Mandataires
  • SAKANOUE, Masaaki; c/o SEIKO INSTRUMENTS INC. 8, Nakase 1-chome, Mihama-ku Chiba-shi, Chiba 261-8507, JP
Données relatives à la priorité
2001-18805021.06.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
A method for manufacturing a structure leading to realization of a power management semiconductor device and an analog semiconductor device that can be manufactured at low cost in a short manufacturing term, operate on low voltage with low power consumption, and having a high drivability and a sophisticated function with high precision. The method is for manufacturing a P−type polycide structure for a power management semiconductor device and an analog semiconductor device including a CMOS and a resistor. The P−type polycide structure is a multilayer one of a P−type polycrystalline silicon layer and a refractory metal silicide layer, in which the conductivity type of the gate electrode of the CMOS is the P−type whether if the CMOS is an NMOS or a PMOS. The resistors used in a voltage−dividing circuit and a CR circuit are formed of polycrystalline silicon in a layer different from the layer of the gate electrode.
(FR)
La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une structure permettant de réaliser un dispositif semi-conducteur de gestion d'énergie, ainsi qu'un dispositif semi-conducteur correspondant qui peut être fabriqué à moindre coût en un temps de fabrication relativement court, qui fonctionne à basse tension et consomme peu d'énergie et qui présente une grande capacité à être commandé ainsi qu'une fonction sophistiquée de haute précision. Ledit procédé permet la fabrication d'une structure en silicium polycristallin siliciuré de type P destinée à un dispositif semi-conducteur de gestion d'énergie et un dispositif semi-conducteur correspondant comprenant un CMOS et une résistance. Ladite structure en silicium polycristallin siliciuré de type P est une structure multicouche comprenant une couche de silicium polycristallin de type P et une couche de siliciure d'un métal réfractaire, le type de conductivité de l'électrode de grille du CMOS étant un type P que ledit CMOS soit un NMOS ou un PMOS. Les résistances utilisées dans un circuit de division de la tension et un circuit CR sont fabriqués en silicium polycristallin dans une couche différente de l'électrode de grille.
Également publié en tant que
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