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1. WO2003001590 - SYSTEME ET PROCEDE DE FORMATION D'UN EMPILEMENT DE FILMS COMPOSITES AU MOYEN DE TECHNIQUES DE DEPOTS SEQUENTIELS

Numéro de publication WO/2003/001590
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/019481
Date du dépôt international 20.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 17.01.2003
CIB
H01L 21/285 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
H01L 21/28562
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
28506of conductive layers
28512on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
28556by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
28562Selective deposition
H01L 21/76846
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76841Barrier, adhesion or liner layers
76843formed in openings in a dielectric
76846Layer combinations
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs
  • MAK, Alfred W.; US
  • CHANG, Mei; US
  • BYUN, Jeong Soo; US
  • CHUNG, Hua; US
  • SINHA, Ashok; US
  • KORI, Moris; US
Mandataires
  • PATTERSON, B. Todd ; MOSER, PATTERSON & SHERIDAN, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd. Suite 1500 Houston, TX 77056, US
Données relatives à la priorité
09/885,60920.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SYSTEM AND METHOD TO FORM A COMPOSITE FILM STACK UTILIZING SEQUENTIAL DEPOSITION TECHNIQUES
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE FORMATION D'UN EMPILEMENT DE FILMS COMPOSITES AU MOYEN DE TECHNIQUES DE DEPOTS SEQUENTIELS
Abrégé
(EN)
A system and method to form a stacked barrier layer for copper contacts formed on a substrate. The substrate is serially exposed to first and second reactive gases to form an adhesion layer (58). Then, the adhesion layer is serially exposed to third and fourth reactive gases to form a barrier layer (60) adjacent to the adhesion layer. This is followed by deposition of a copper layer adjacent to the barrier layer.
(FR)
L'invention concerne un système et un procédé permettant de former une couche barrière empilée destinée à des contacts de cuivre formés sur un substrat. Ce substrat est exposé en série à des premier et second gaz réactifs pour former une couche d'adhésion. Puis, cette couche d'ahésion est exposée en série à des troisième et quatrième gaz réactifs, pour constituer une couche barrière adjacente à la couche d'adhésion. Ensuite, a lieu un dépôt d'une couche de cuivre adjacente à la couche barrière.
Également publié en tant que
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