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Paramétrages

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1. WO2003001583 - PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE SILICIUM SUR ISOLANT A GETTER INTRINSEQUE PAR IMPLANTATION D'IONS

Numéro de publication WO/2003/001583
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/019906
Date du dépôt international 21.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 17.01.2003
CIB
H01L 21/322 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
322pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/3226
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
322to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
3221of silicon bodies, e.g. for gettering
3226of silicon on insulator
H01L 21/76243
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76243using silicon implanted buried insulating layers, e.g. oxide layers, i.e. SIMOX techniques
Déposants
  • MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 8 501 Pearl Drive St. Peters, MO 63376, US
Inventeurs
  • FALSTER, Robert, J.; GB
  • LIBBERT, Jeffrey, L.; US
Mandataires
  • ALLEN, Derick, E. ; One Metropolitan Square Suite 1600 St. Louis, MO 63102, US
Données relatives à la priorité
60/300,20822.06.2001US
60/337,62305.12.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR PRODUCING SILICON ON INSULATOR STRUCTURE HAVING INTRINSIC GETTERING BY ION IMPLANTATION
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE SILICIUM SUR ISOLANT A GETTER INTRINSEQUE PAR IMPLANTATION D'IONS
Abrégé
(EN)
The present invention is directed to a process for producing a silicon on insulator (SOI) structure having intrinsic gettering, wherein a silicon substrate is subjected to an ideal precipitating wafer heat treatment which enables the substrate, during the heat treatment cycles of essentially any arbitrary electronic device manufacturing process to form an ideal, non-uniform depth distribution of oxygen precipitates, and wherein a dielectric layer is formed beneath the surface of the wafer by implanting oxygen or nitrogen ions, or molecular oxygen, beneath the surface and annealing the wafer. Additionally, the silicon wafer may initially include an epitaxial layer, or an epitaxial layer may be deposited on the substrate during the process of the present invention.
(FR)
Procédé de production d'une structure silicium sur isolant (SOI) à getter intrinsèque, selon lequel un substrat de silicium est soumis à un traitement thermique idéal provoquant la précipitation qui permet la formation dans ce substrat, pendant les cycles de traitement thermique de n'importe quel processus de fabrication de dispositif électronique, de précipités d'oxygène à répartition d'épaisseur idéale non uniforme. Une couche diélectrique est formée au-dessous de la surface de la tranche par implantation d'ions d'oxygène ou d'azote, ou d'oxygène moléculaire, au-dessous de la surface et par recuit de la tranche. De plus, la tranche de silicium peut initialement comporter une couche épitaxiale, ou alors une couche épitaxiale peut être déposée sur le substrat lors de la mise en oeuvre du procédé selon la présente invention.
Également publié en tant que
RU2004107509
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