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Paramétrages

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1. WO2003001578 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA PAR MICRO-ONDES, PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA, ET ORGANE DE RAYONNEMENT DE MICRO-ONDES

Numéro de publication WO/2003/001578
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006110
Date du dépôt international 19.06.2002
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
CPC
H01J 37/32192
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
H01J 37/3222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
32211Means for coupling power to the plasma
3222Antennas
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome Minato-Ku, Tokyo 107-8481, JP (AllExceptUS)
  • OHMI, Tadahiro [JP/JP]; JP
  • HIRAYAMA, Masaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • GOTO, Tetsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • OHMI, Tadahiro; JP
  • HIRAYAMA, Masaki; JP
  • GOTO, Tetsuya; JP
Mandataires
  • ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3 Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 150-6032, JP
Données relatives à la priorité
2001-18691520.06.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MICROWAVE PLASMA PROCESSING DEVICE, PLASMA PROCESSING METHOD, AND MICROWAVE RADIATING MEMBER
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA PAR MICRO-ONDES, PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA, ET ORGANE DE RAYONNEMENT DE MICRO-ONDES
Abrégé
(EN)
Installed in a processing vessel (22) is a mounting block (24) on which a semiconductor wafer (W) is mounted. Microwaves, which are generated by a microwave generator (76), are introduced into a processing vessel (22) through a planar antenna member (66). The planar antenna member (66) has a plurality of slits (84) arranged along a plurality of circumferences, the circumferences forming non−concentric circles. The plasma density distribution in the radial direction of the planar antenna member (66) becomes uniform.
(FR)
La présente invention concerne une installation dans une cuve de traitement (22) d'un bloc de montage (24) sur lequel est fixée une tranche semi-conductrice (W). Des micro-ondes (76) générées par un générateur de micro-ondes sont introduites dans une cuve de traitement (22) par un élément d'antenne plan (66). L'élément d'antenne plan (66) présente une pluralité de fentes (84) disposées selon une pluralité de circonférences, les circonférences formant des cercles non concentriques. La distribution de la densité de plasma dans la direction radiale de l'élément d'antenne plan (66) devient uniforme.
Également publié en tant que
RU2004107501
RU2004107847
UZ20040094
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