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Paramétrages

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1. WO2003001574 - STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES A DOUBLE FACE UTILISANT UN SUBSTRAT SOUPLE

Numéro de publication WO/2003/001574
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2001/050330
Date du dépôt international 20.12.2001
CIB
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
H01L 23/538 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
538la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
CPC
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02488Insulating materials
H01L 21/02505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
02505consisting of more than two layers
H01L 21/02513
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02513Microstructure
H01L 21/02521
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
H01L 21/02546
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02546Arsenides
Déposants
  • MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US
Inventeurs
  • KLOSOWIAK, Tomasz, L.; US
Mandataires
  • KOCH, William, E. ; 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606, US
Données relatives à la priorité
09/884,98221.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DOUBLE-SIDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES UTILIZING A COMPLIANT SUBSTRATE
(FR) STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES A DOUBLE FACE UTILISANT UN SUBSTRAT SOUPLE
Abrégé
(EN)
High quality epitaxial layers of monocrystalline materials (26) are grown overlying multiple sides of a monocrystalline substrate (22) such as large silicon wafers by forming a compliant substrate for growing the monocrystalline layers. An accommodating buffer layers (24) comprises layers of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by amorphous interface layers (28) of silicon oxide. The amorphous interface layers dissipate strain and permit the growth of high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layers. The accommodating buffer layers are lattice matched to both the underlying silicon wafer and the overlying monocrystalline material layers. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layers and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layers. In addition, formation of a compliant substrate may include utilizing surfactant enhanced epitaxy, epitaxial growth of single crystal silicon onto single crystal oxide, and epitaxial growth of Zintl phase materials.
(FR)
L'invention concerne un procédé de croissance de couches épitaxiales de haute qualité de matériaux monocristallins (26) recouvrant plusieurs côtés d'un substrat monocristallin (22), tel qu'une grande plaquette, consistant à former un substrat souple destiné à la croissance des couches monocristallines. Une couche tampon adaptative (24) comprend des couches d'oxyde monocristallin espacées de la plaquette par des couches d'interface amorphes (28) d'oxyde de silicium. Les couches d'interface amorphes dissipent les contraintes et permettent la croissance de couches tampon adaptatives d'oxyde monocristallin de haute qualité. Ces couches tampon adaptatives possèdent un réseau correspondant à la fois à celui de la couche de silicium sous-jacente et à celui des couches de matériaux monocristallins sus-jacentes. Les couches d'interface amorphes permettent de pallier à tout décalage du réseau entre les couches tampon adaptatives et le substrat de silicium sous-jacent. Le procédé de formation d'un substrat souple consiste également à réaliser une épitaxie améliorée par un tensio-actif, à réaliser une croissance épitaxiale d'un silicium monocristallin sur un oxyde monocristallin, et enfin, à appliquer une croissance épitaxiale de matériaux à phase Zintl.
Également publié en tant que
RU2004107575
RU2004108111
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