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Paramétrages

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1. WO2003001567 - IMAGEUR A LARGE GAMME DYNAMIQUE, A HAUTE RESOLUTION ET FAIBLE CONSOMMATION D'ENERGIE, AVEC PROCESSEUR DE PIXELS ET MEMOIRE DRAM INTEGRES

Numéro de publication WO/2003/001567
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/019361
Date du dépôt international 18.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 13.01.2003
CIB
H04N 5/355 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
351Réglage du capteur SSIS en fonction de la scène, p.ex. luminosité ou mouvement dans la scène
355Réglage de la gamme dynamique
H04N 5/3745 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
3745ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
H04N 5/378 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
378Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé , amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
CPC
H04N 5/3355
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
3355with digital output of the sensor cell, e.g. dynamic RAM image sensors
H04N 5/37455
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
37455comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
H04N 5/379
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
379Details of the architecture or circuitry being divided to different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
Déposants
  • R3 LOGIC, INC. [US/US]; Suite 400 11 Ward Street Somerville, MA 02143, US (AllExceptUS)
  • MCILRATH, Lisa, G. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • MCILRATH, Lisa, G.; US
Mandataires
  • STRATMAN, J., Terry; Seyfarth Shaw Suite 4200 55 East Monroe Street Chicago, IL 60603, US
Données relatives à la priorité
60/299,63820.06.2001US
null18.06.2002US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HIGH RESOLUTION, LOW POWER, WIDE DYNAMIC RANGE IMAGER WITH EMBEDDED PIXEL PROCESSOR AND DRAM STORAGE
(FR) IMAGEUR A LARGE GAMME DYNAMIQUE, A HAUTE RESOLUTION ET FAIBLE CONSOMMATION D'ENERGIE, AVEC PROCESSEUR DE PIXELS ET MEMOIRE DRAM INTEGRES
Abrégé
(EN)
A high-resolution, low-power wide-dynamic-range CMOS imager includes an array of pixel imaging cells (51), each of which embeds with a pixel transducing circuit (54) at the pixel level a digital arithmetic logic processing circuit (56) and a memory circuit (57). This permits multi-bit analog-to-digital conversion of an electromagnetic sensor output at the pixel level. The processing and memory circuits are usable on a pixel-parallel basis in conjunction with any type of pixel transducing circuit design that produces a binary output. The pixel processing and memory circuits may be configured with pixel transducing circuits in 2-dimensional arrangements on a single substrate or in 3-dimensional arrangements of three layered substrates, and may be used in multiplexed or non-multiplexed fashion with one or several pixel transducing circuits.
(FR)
L'invention concerne un imageur CMOS à large gamme dynamique, à haute résolution et faible consommation d'énergie, comprenant une matrice de cellules de pixels, renfermant chacune, avec un circuit transducteur de pixel, au niveau des pixels, un circuit de traitement arithmétique et logique, numérique, et un circuit de mémoire. Cet agencement permet de numériser plusieurs bits de sortie d'un capteur électromagnétique, au niveau des pixels. Les circuits de traitement et de mémoire peuvent être utilisés sur une base parallèle aux pixels, conjointement avec n'importe quel type d'agencement de circuit de transduction de pixels produisant une sortie binaire. Les circuits de traitement de pixels et de mémoire peuvent être configurés avec les circuits de transduction de pixels dans des agencements bidimensionnels sur un seul substrat ou dans des agencements tridimensionnels sur des substrats à trois couches, et peuvent être utilisés de façon multiplexée ou non avec un ou plusieurs circuits de transduction de pixels.
Également publié en tant que
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