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1. WO2003001565 - PROCEDE DE LIBERATION DE DE D'UN APPAREIL SEMI-CONDUCTEUR A PARTIR D'UNE PLAQUETTE

Numéro de publication WO/2003/001565
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/010616
Date du dépôt international 03.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 24.01.2003
CIB
B81C 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
CPROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/311 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
311Gravure des couches isolantes
H01L 21/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
CPC
B81C 1/00873
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00865Multistep processes for the separation of wafers into individual elements
00873characterised by special arrangements of the devices, allowing an easier separation
B81C 2201/014
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0101Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
0128Processes for removing material
013Etching
0135Controlling etch progression
014by depositing an etch stop layer, e.g. silicon nitride, silicon oxide, metal
Déposants
  • ADC TELECOMMUNICATIONS, INC. [US/US]; 13625 Technology Drive Eden Prairie, MN 55344-2252, US
Inventeurs
  • POLSON, Bruce; US
  • ZHANG, Nan; US
  • WILSON, Howard, P.; US
Mandataires
  • BRUESS, Steven, C.; Merchant & Gould P.C. P.O. Box 2903 Minneapolis, MN 55402-0903, US
Données relatives à la priorité
09/891,10525.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR IMPROVED DIE RELEASE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE FROM A WAFER
(FR) PROCEDE DE LIBERATION DE DE D'UN APPAREIL SEMI-CONDUCTEUR A PARTIR D'UNE PLAQUETTE
Abrégé
(EN)
A microelectromechanical (MEMS) device and a method of fabricating a MEMS device are provided. The method of fabricating the MEMS device includes the steps of: etching a die release trench in a primary handle layer of a wafer having the handle layer, an etch-stop layer disposed on the primary handle layer, and a device layer disposed on the etch-stop layer; patterning a release trench in the device layer disposed on the etch-stop layer; patterning a release trench in the device layer that is aligned with the release trench in the primary handle layer; temporarily attaching an additional handle layer to the primary handle layer; etching the device layer to define a structure in the device layer; removing the etch-stop layer; and removing the additional handle layer to release the die.
(FR)
L'invention concerne un système microélectromécanique (MEMS) et un procédé de fabrication d'un système MEMS. Ce procédé de fabrication du système MEMS consiste à : graver une tranchée de libération de dé dans une couche de poignée principale d'une plaquette présentant cette couche de poignée, une couche d'arrêt de gravure disposée sur la couche de poignée principale et une couche système disposée sur la couche d'arrêt de gravure, réaliser un motif de tranchée de libération dans la couche système disposée sur la couche d'arrêt de gravure, réaliser un motif de tranchée de libération dans la couche système qui est alignée avec la tranchée de libération dans la couche de poignée principale, fixer de manière provisoire une couche de poignée supplémentaire à la couche de poignée principale, graver la couche système afin de définir une structure dans la couche système, retirer la couche d'arrêt de gravure et retirer la couche de poignée supplémentaire afin de libérer le dé.
Également publié en tant que
RU2004104331
RU2004107571
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