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Paramétrages

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1. WO2003001564 - STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE A FAIBLE DEFAUT

Numéro de publication WO/2003/001564
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2001/048987
Date du dépôt international 19.12.2001
CIB
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
CPC
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02433
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02433Crystal orientation
H01L 21/02461
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02461Phosphides
H01L 21/02463
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02463Arsenides
H01L 21/02488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02488Insulating materials
H01L 21/02505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
02505consisting of more than two layers
Déposants
  • MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US
Inventeurs
  • YU, Zhiyi; US
  • DROOPAD, Ravindranath; US
Mandataires
  • KOCH, William, E. ; Motorola Labs 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606, US
Données relatives à la priorité
09/884,15020.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH A SUPERLATTICE PORTION
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE A FAIBLE DEFAUT
Abrégé
(EN)
High quality epitaxial layers of monocrystalline materials can be grown overlying monocrystalline substrates such as large silicon wafers (22) by forming a compliant substrate for growing the monocrystalline layers. One way to achieve the formation of a compliant substrate includes first growing an accommodating buffer layer (24) on a silicon wafer (22). The accommodating buffer layer (24) is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer (22) by an amorphous interface layer (28) of silicon oxide. The amorphous interface layer (28) dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. Furthermore, the structure includes a monocrystalline compound semiconductor material overlying the accommodating buffer layer and strained-layer superlattice portion on the monocrystalline compound semiconductor material.
(FR)
Selon l'invention il est possible de faire croître des couches épitaxiales de matériaux monocristallins de qualité élevée sur des substrats monocristallins, notamment des grandes tranches de silicium (22), par formation d'un substrat adapté à la croissance de couches monocristallines. Une manière de réaliser la formation d'un substrat adapté consiste à faire d'abord croître une couche tampon réceptrice (24) sur une tranche de silicium (22). La couche tampon réceptrice (24) est une couche d'oxyde monocristallin, séparée de la tranche de silicium (22) par une couche d'interface amorphe (28) d'oxyde de silicium. La couche d'interface amorphe (28) dissipe les contraintes et permet la croissance d'une couche tampon réceptrice d'oxyde monocristallin de qualité élevée.
Également publié en tant que
RU2003129632
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