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Paramétrages

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1. WO2003000963 - SUBSTRAT PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE MINCE DE MONOCRISTAL DE GRENAT MAGNETIQUE, DISPOSITIF OPTIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE

Numéro de publication WO/2003/000963
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006223
Date du dépôt international 21.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 03.12.2002
CIB
C30B 19/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
19Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
02en utilisant des solvants fondus, p.ex. des fondants
04le solvant étant un constituant du cristal
C30B 19/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
19Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
12caractérisée par le substrat
CPC
C30B 19/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
02using molten solvents, e.g. flux
04the solvent being a component of the crystal composition
C30B 19/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
12characterised by the substrate
C30B 29/28
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
22Complex oxides
28with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
Déposants
  • TDK CORPORATION [JP/JP]; 1-13-1, Nihonbashi Chuo-ku, Tokyo 103-8272, JP (AllExceptUS)
  • SAKASHITA, Yukio [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • KAWASAKI, Katsumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • OHIDO, Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • MORIKOSHI, Hiroki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • UCHIDA, Kiyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • YAMASAWA, Kazuhito [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • SAKASHITA, Yukio; JP
  • KAWASAKI, Katsumi; JP
  • OHIDO, Atsushi; JP
  • MORIKOSHI, Hiroki; JP
  • UCHIDA, Kiyoshi; JP
  • YAMASAWA, Kazuhito; JP
Mandataires
  • MAEDA, Hitoshi ; MAEDA & NISHIDE 2F, Kiriyama Bldg. 1-1, Sarugaku-cho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-0064, JP
Données relatives à la priorité
2001-18958722.06.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE FOR FORMING MAGNETIC GARNET SINGLE CRYSTAL FILM, OPTICAL DEVICE, AND ITS PRODUCTION METHOD
(FR) SUBSTRAT PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE MINCE DE MONOCRISTAL DE GRENAT MAGNETIQUE, DISPOSITIF OPTIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
Abrégé
(EN)
A substrate for forming a magnetic garnet single crystal film by liquid phase epitaxy, a method for forming a single crystal film by crystal growth using the substrate, a single crystal film formed by the method, and an optical device. The substrate (2) has a base substrate (10) composed of a garnet single crystal unstable to the flux used for the liquid phase epitaxy and a buffer layer (11) formed on the base substrate (10) and composed of a garnet single crystal thin film stable to the flux. A high−quality magnetic garnet single crystal film (12) is produced by using the substrate (2). The magnetic garnet single crystal film (12) can be used for an optical device such as a Faraday device used for an optical isolator, an optical circulator, or a magneto−optical sensor.
(FR)
L'invention concerne un substrat permettant de former une couche mince de monocristal de grenat magnétique par épitaxie en phase liquide, un procédé de formation d'une couche mince de monocristal par croissance de cristal au moyen dudit substrat, une couche mince de monocristal formée selon ledit procédé, ainsi qu'un dispositif optique. Le substrat (2) selon l'invention comprend un substrat de base (10) constitué d'un monocristal de grenat instable au flux, utilisé pour l'épitaxie en phase liquide, et une couche tampon (11) formée sur ce substrat de base (10) et constituée d'une couche mince de monocristal de grenat stable au flux. Une couche mince (12) de monocristal de grenat magnétique de haute qualité est produite au moyen de ce substrat (2). Cette couche mince de monocristal de grenat magnétique peut être utilisée dans un dispositif optique, tel qu'un dispositif de Faraday, destiné à un isolateur ou un circulateur optique, ou à un capteur magnéto-optique.
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