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1. (WO2002103767) COUCHE BARRIERE OU ISOLANTE EPITAXIALE EN SIO¿X?
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/103767 N° de la demande internationale : PCT/US2001/040970
Date de publication : 27.12.2002 Date de dépôt international : 14.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 08.01.2003
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
762
Régions diélectriques
Déposants :
WANG, Chia-Gee [US/US]; US (UsOnly)
TSU, Raphael [US/US]; US (UsOnly)
LOFGREN, John, Clay [US/US]; US (UsOnly)
NANODYNAMICS, INC. [US/US]; 510 E. 73rd Street New York, NY 10021, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
WANG, Chia-Gee; US
TSU, Raphael; US
LOFGREN, John, Clay; US
Mandataire :
HANDELMAN, Joseph, H. ; Ladas & Parry 26 West 61st Street New York, NY 10023, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) EPITAXIAL SIOX BARRIER/INSULATION LAYER______________________
(FR) COUCHE BARRIERE OU ISOLANTE EPITAXIALE EN SIOX
Abrégé :
(EN) A method for producing an insulating or barrier layer (Fig. 1B), useful for semiconductor devices, comprises depositing a layer of silicon and at least one additional element on a silicon substrate whereby said deposited layer is substantially free of defects such that epitaxial silicon substantially free of defects can be deposited on said deposited layer. Alternatively, a monolayer of one or more elements, preferably comprising oxygen, is absorbed on a silicon substrate. A plurality of insulating layers sandwiched between epitaxial silicon forms a barrier composite. Semiconductor devices are disclosed which comprise said barrier composite.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'une couche barrière ou isolante (fig. 1B), utile pour des dispositifs à semi-conducteurs. Le procédé consiste à déposer une couche de silicium et au moins un élément supplémentaire sur un substrat de silicium, ladite couche déposée étant sensiblement exempte de défauts afin qu'un silicium épitaxial sensiblement exempt de défauts puisse être déposé sur la couche déposée. Dans une autre forme de réalisation, une monocouche d'un ou de plusieurs éléments, de préférence comprenant oxygène, est absorbée sur un substrat de silicium. Plusieurs couches isolantes prises en sandwich entre un silicium épitaxial forment un composite barrière. L'invention concerne en outre des dispositifs à semi-conducteurs comprenant ce composite barrière.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)