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1. (WO2002095920) DISPOSITIF A PENETRATION D'ELECTRONS PAR EFFET TUNNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/095920    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/015417
Date de publication : 28.11.2002 Date de dépôt international : 17.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.12.2002    
CIB :
H01L 31/04 (2006.01), G02B 6/26 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 25/00 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 31/0328 (2006.01), H01L 31/0336 (2006.01), H01L 31/06 (2012.01), H01L 31/09 (2006.01), H01L 31/101 (2006.01), H01L 31/109 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H02N 6/00 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF COLORADO [US/US]; 3 SYS, 201 Regent Administrative Center, Boulder, CO 80309 (US) (Tous Sauf US).
ELIASSON, Blake, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
MODDEL, Garret [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ELIASSON, Blake, J.; (US).
MODDEL, Garret; (US)
Mandataire : GALLENSON, Mavis, S.; LADAS & PARRY, 5670 Wilshire Blvd., Suite 2100, Los Angeles, CA 90036 (US)
Données relatives à la priorité :
09/860,988 21.05.2001 US
Titre (EN) ELECTRON TUNNELING DEVICE
(FR) DISPOSITIF A PENETRATION D'ELECTRONS PAR EFFET TUNNEL
Abrégé : front page image
(EN)The electron tunneling device (110) includes first and second non-insulating layers (112 and 114) spaced apart such that a given voltage can be provided therebetween. The device also includes an arrangement disposed between the non-insulating layers and configured to serve as a transport of electrons between the non-insulating layers. This arrangement includes a first layer (116) of an amorphous material such that using only the first layer of amorphous material in the arrangement would result in a given value of a parameter in the transport of electrons, with respect to the given voltage. The arrangement further includes a second layer (118) of material, which is configured to cooperate with the first layer (116) of amorphous material such that the transport of electrons includes, at least in part, transport by tunneling, and such that the parameter, with respect to the given voltage, is increased above the given value of the parameter.
(FR)Le dispositif à pénétration d'électrons par effet tunnel de la présente invention (110) comprend deux couches non isolantes (112, 114) séparées de façon à conserver entre elles une tension définie. Le dispositif comporte également entre les couches non isolantes une structure configurée pour servir au transport d'électrons entre les couches non isolantes. Cette structure est faite d'une première couche (116) d'un matériau amorphe de façon que l'utilisation de la seule première couche de matériau amorphe de la structure aboutirait à une valeur spécifique d'un paramètres du transport d'électrons par rapport à cette tension définie. La structure comporte également une deuxième couche (118) de matériau qui est configurée pour coopérer avec la première couche (116) de matériau amorphe de façon que, d'une part le transport des électrons implique, au moins en partie, un transport par effet tunnel, et que d'autre part, le paramètre, par rapport à la tension spécifique, dépasse la valeur spécifique du paramètre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)