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1. (WO2002095870) PROCEDE DE CONCEPTION D'UNE PETITE ANTENNE ACCORDEE A UNE IMPEDANCE D'ENTREE, ET PETITES ANTENNES CONÇUES SELON CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/095870    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/031491
Date de publication : 28.11.2002 Date de dépôt international : 09.10.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.10.2002    
CIB :
H01Q 1/36 (2006.01), H01Q 1/38 (2006.01), H01Q 7/00 (2006.01)
Déposants : RFWAVES LTD. [IL/IL]; Yoni Netanyahu Street 5, 60376 Or Yehuda (IL) (Tous Sauf US).
SHAMIR, Adi [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
GAZIT, Meir [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
FRIEDMAN, Mark, M. [US/IL]; (IL) (TJ only)
Inventeurs : SHAMIR, Adi; (IL).
GAZIT, Meir; (IL)
Mandataire : FRIEDMAN, Mark, M.; Discovery Dispatch, 9003 Florin Way, Upper Marlboro, MD 20772 (US)
Données relatives à la priorité :
60/292,938 24.05.2001 US
Titre (EN) A METHOD FOR DESIGNING A SMALL ANTENNA MATCHED TO AN INPUT IMPEDANCE, AND SMALL ANTENNAS DESIGNED ACCORDING TO THE METHOD
(FR) PROCEDE DE CONCEPTION D'UNE PETITE ANTENNE ACCORDEE A UNE IMPEDANCE D'ENTREE, ET PETITES ANTENNES CONÇUES SELON CE PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)A method for designing a high performance, small antenna that is matched to a required output impedance, does not require filtering, is simple and inexpensive to manufacture, and is easily integrable with an RF power amplifier- with minimum cost, minimum external components and minimum energy losses. The method includes finding a singular point (102) in the impedance vs. antenna geometrical dimension/wavelength ratio graph, the singular point (102) exhibiting a high very high positive reactance, setting the antenna geometry to match this point, and canceling the very high positive reactance (high inductance) resulting from this match by adding to the antenna a very small capacitance, preferably provided by at least one gap capacitor (202) The antenna is preferably a loop antenna (200), and both the antenna and the gap capacitor (202) (204) are preferably implemented by printing methods on printed circuit board or ceramic substrates. The antenna (200) may also be implemented in non-differential designs.
(FR)La présente invention concerne un procédé de conception d'une petite antenne à haute performance qui est accordée à une impédance de sortie requise, qui ne nécessite pas de filtrage, qui est de fabrication aisée et peu coûteuse, et qui peut facilement être intégrée à un amplificateur de puissance radioélectrique pour un coût minimal, avec un nombre de composants externes minimal et des pertes d'énergie minimales. Le procédé de l'invention consiste à trouver, dans le graphe de l'impédance contre le rapport entre la dimension géométrique et la longueur d'onde de l'antenne, un point singulier (102) présentant une réactance positive très élevée, à régler la géométrie de l'antenne pour l'accorder à ce point, et à annuler la réactance positive très élevée (inductance élevée) provoquée par cet accord en ajoutant à l'antenne une petite capacité, à l'aide d'au moins une capacité par interruption de circuit (202). L'antenne de l'invention est de préférence une antenne cadre (200), et tant l'antenne que la capacité par interruption de circuit (202) (204) sont de préférence mises en oeuvre par des procédés d'impression sur des cartes à circuits imprimés ou des substrats en céramique. L'antenne (200) peut également être mise en oeuvre dans des modèles non différentiels.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)