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1. (WO2002093702) LASER A GAZ DOTE D'UNE VOIE DE FAISCEAU AMELIOREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/093702    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/012200
Date de publication : 21.11.2002 Date de dépôt international : 17.04.2002
CIB :
G03F 7/20 (2006.01), H01S 3/00 (2006.01), H01S 3/036 (2006.01), H01S 3/038 (2006.01), H01S 3/041 (2006.01), H01S 3/08 (2006.01), H01S 3/097 (2006.01), H01S 3/0971 (2006.01), H01S 3/0975 (2006.01), H01S 3/102 (2006.01), H01S 3/104 (2006.01), H01S 3/105 (2006.01), H01S 3/11 (2006.01), H01S 3/13 (2006.01), H01S 3/134 (2006.01), H01S 3/139 (2006.01), H01S 3/22 (2006.01), H01S 3/223 (2006.01), H01S 3/225 (2006.01), H01S 3/23 (2006.01)
Déposants : CYMER, INC. [US/US]; 16750 Via Del Campo Court San Diego, CA 92127-1712 (US) (Tous Sauf US).
PARTLO, William, N. [US/US]; (US) (US Seulement).
SANDSTROM, Richard, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
GLATZEL, Holger, K. [DE/US]; (US) (US Seulement).
CYBULSKI, Ray, F. [US/US]; (US) (US Seulement).
NEWMAN, Peter, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
HOWEY, James, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
HULBURD, William [US/US]; (US) (US Seulement).
MELCHIOR, John, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
IVASCHENKO, Alex, P. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PARTLO, William, N.; (US).
SANDSTROM, Richard, L.; (US).
GLATZEL, Holger, K.; (US).
CYBULSKI, Ray, F.; (US).
NEWMAN, Peter, C.; (US).
HOWEY, James, K.; (US).
HULBURD, William; (US).
MELCHIOR, John, T.; (US).
IVASCHENKO, Alex, P.; (US)
Mandataire : ROSS, John, R.; Cymer, Inc. Legal Department - MS/1-2A 16750 Via Del Campo Court San Diego, CA 92127-1712 (US)
Données relatives à la priorité :
09/854,097 11.05.2001 US
10/000,991 14.11.2001 US
Titre (EN) GAS DISCHARGE LASER WITH IMPROVED BEAM PATH
(FR) LASER A GAZ DOTE D'UNE VOIE DE FAISCEAU AMELIOREE
Abrégé : front page image
(EN)An excimer laser with a purged beam path capable of producing a high quality pulsed laser beam at pulse rates in excess of 2,000 Hz at pulse energies of about 5mJ or greater. The entire purged beam path through the laser system is sealed to minimize contamination of the beam path. A preferred embodiment comprises a thermally decoupled LNP aperture element (70A) to minimize thermal distortions in the LNP (54). This preferred embodiment is an ArF excimer laser specifically designed as a light source for integrated circuit lithography. A wavemeter (7) is provided with a special purge of a compartment exposed to the output laser beam.
(FR)L'invention concerne un laser excimère doté d'une voie de faisceau purgée capable de produire un faisceau laser pulsé de haute qualité à des taux d'impulsions excédant 2 000 Hz avec des énergies d'impulsions d'au moins environ 5mJ. La globalité de la voie de faisceau purgée à travers le système laser est scellée pour minimiser la contamination de ladite voie. Un mode de réalisation préféré comprend un élément d'ouverture d'un module de rétrécissement de raies découplé sur le plan thermique (70a), de manière à minimiser les distorsions thermiques dans le module de rétrécissement de raies (54). Ce mode de réalisation préféré porte sur un laser excimère ArF spécifiquement conçu comme une source de lumière destinée à la lithographie d'un circuit intégré. Cette invention concerne aussi un ondemètre (7) pourvu d'une purge spéciale d'un compartiment exposé au faisceau laser de sortie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)