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1. (WO2002093662) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE CONTENANT UN METAL OU DU SILICIUM OU DU GERMANIUM ET DE L'OXYGENE SUR UNE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/093662    N° de la demande internationale :    PCT/GB2002/002181
Date de publication : 21.11.2002 Date de dépôt international : 13.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.12.2002    
CIB :
H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/52 (2006.01), B05D 1/18 (2006.01), B05D 3/04 (2006.01), B05D 3/10 (2006.01), B05D 3/14 (2006.01), B05D 7/24 (2006.01)
Déposants : CDT OXFORD LIMITED [GB/GB]; Greenwich House, Madingley Rise, Madingley Road, Cambridge CB3 0TX (GB) (Tous Sauf US).
CONWAY, Natasha, M., J. [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
MOSLEY, Alan [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : CONWAY, Natasha, M., J.; (GB).
MOSLEY, Alan; (GB)
Mandataire : SHARP, Alan, Cooper; QED I.P. Services Limited, Dawley Road, Hayes, Middlesex UB3 1HH (GB)
Données relatives à la priorité :
0111751.4 14.05.2001 GB
0208230.3 10.04.2002 GB
Titre (EN) A METHOD OF PROVIDING A LAYER INCLUDING A METAL OR SILICON OR GERMANIUM AND OXYGEN ON A SURFACE
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE CONTENANT UN METAL OU DU SILICIUM OU DU GERMANIUM ET DE L'OXYGENE SUR UNE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)A method of providing a layer including a metal or silicon or germanium and oxygen on a surface, the method consisting of or including: forming an adsorbed layer less than 12 monolayers thick on the surface by exposing it to a liquid or vapour consisting of or including metal-, silicon- or germanium-containing organic molecules, and treating this layer by exposure to a glow discharge in a gas consisting of or including oxygen, thereby converting said adsorbed layer to a layer including silicon (or germanium) and oxygen (10).
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de former une couche contenant un métal ou du silicium ou du germanium et de l'oxygène, sur une surface. Ce procédé consiste à former une couche adsorbée dont l'épaisseur est inférieure à 12 couches monomoléculaires sur la surface par exposition de cette dernière à du liquide ou de la vapeur composée de ou contenant des molécules organiques contenant du métal, du silicium ou du germanium, et à traiter cette couche par exposition à une décharge luminescente dans un gaz composé de ou contenant de l'oxygène, transformant ainsi cette couche adsorbée en une couche contenant du silicium (ou du germanium) et de l'oxygène (10).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)