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1. (WO2002093648) INTERCONNEXION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/093648    N° de la demande internationale :    PCT/GB2002/001858
Date de publication : 21.11.2002 Date de dépôt international : 19.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.05.2002    
CIB :
H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour, Portsmouth, Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only)
Inventeurs : COONEY, Edward, III; (US).
STAMPER, Anthony; (US)
Mandataire : LITHERLAND, David, Peter; IBM United Kingdom Limited, Intellectual Property Law, Hursley Park, Winchester, Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
09/853,956 11.05.2001 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INTERCONNECT
(FR) INTERCONNEXION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating an interconnect for a semiconductor device is disclosed. The method comprises: forming a dielectric layer on a semiconductor substrate; forming a trench in the dielectric layer; placing the semiconductor substrate in a plasma deposition chamber having a tantalum target; initiating a plasma in the presence of nitrogen in the plasma deposition chamber; and depositing an ultra-thin layer comprising tantalum and nitrogen in the trench.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une interconnexion destinée à un dispositif semi-conducteur. Ce procédé consiste: à former une couche diélectrique sur un substrat semi-conducteur; à former une tranchée dans la couche diélectrique; à placer le substrat semi-conducteur dans une chambre de dépôt en phase vapeur activé par plasma possédant une cible de tantale; à initialiser un plasma en présence d'azote dans ladite chambre; et à déposer une couche ultra-mince renfermant le tantale et l'azote dans la tranchée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)