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1. (WO2002093615) SONDE ATOMIQUE A BALAYAGE ET PROCEDE D'ANALYSE UTILISANT CETTE SONDE ATOMIQUE A BALAYAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/093615    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002802
Date de publication : 21.11.2002 Date de dépôt international : 22.03.2002
CIB :
G01Q 30/02 (2010.01), H01J 37/256 (2006.01), H01J 49/40 (2006.01)
Déposants : KANAZAWA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi-machi Ishikawa-gun, Ishikawa 921-8501 (JP) (Tous Sauf US).
NISHIKAWA, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NISHIKAWA, Osamu; (JP)
Mandataire : MORISHITA, Sakaki; 2-17-16, Ebisu-Nishi Shibuya-ku, Tokyo 150-0021 (JP)
Données relatives à la priorité :
60/278,423 26.03.2001 US
Titre (EN) SCANNING ATOM PROBE AND ANALYSIS METHOD USING SCANNING ATOM PROBE
(FR) SONDE ATOMIQUE A BALAYAGE ET PROCEDE D'ANALYSE UTILISANT CETTE SONDE ATOMIQUE A BALAYAGE
Abrégé : front page image
(EN)In a scan atom probe (100), firstly, a surface shape analysis block (20) analyzes a surface shape of a sample (3). Next, an extraction electrode (5) is positioned on a desired analysis region of the sample surface. When analyzing an electron state in the analysis region, minus bias voltage is applied from a DC high voltage power source (2) to the sample (3) and field−emitted electrons are detected by a screen (9). When analyzing an atom arrangement and composition in the analysis region, the sample (3) is subjected to positive voltage from the DC high voltage power source (2) and a pulse generator (1) and cations generated by field evaporation are detected by a position detection type ion detector (11) or a reflectron type mass analyzer (13).
(FR)L'invention concerne une sonde atomique à balayage (100) dans laquelle un bloc d'analyse de forme superficielle (20) analyse d'abord une forme superficielle d'un échantillon (3). Ensuite, une électrode d'extraction (5) est placée sur une zone d'analyse souhaitée de la surface d'échantillon. Lors d'une analyse d'un état des électrons dans la zone d'analyse, une tension de polarisation négative est appliquée à partir d'une source d'énergie à tension élevée CC (2) sur l'échantillon (3), des électrons à émission de champ étant détectés par un écran (9). Lors de l'analyse d'une composition et d'un agencement des atomes dans la zone d'analyse, l'échantillon (3) est soumis à une tension positive provenant de la source d'énergie à tension élevée CC (2) et d'un générateur d'impulsions (1), les cations produits par l'évaporation de champ étant détectés par un détecteur d'ions de type à détection de position (11) ou par un analyseur de masse de type réflectron (13).
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)