WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002093549) RESONATEUR ACOUSTIQUE A FILM MINCE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/093549    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/004574
Date de publication : 21.11.2002 Date de dépôt international : 10.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.05.2002    
CIB :
B06B 1/06 (2006.01), G10K 11/04 (2006.01), H03H 3/02 (2006.01), H03H 9/05 (2006.01), H03H 9/13 (2006.01), H03H 9/17 (2006.01), H03H 9/56 (2006.01)
Déposants : UBE ELECTRONICS, LTD. [JP/JP]; 2023-2, Aza Mugikawa, Okubun, Ohmine-cho, Mine-shi, Yamaguchi 759-2214 (JP)
Inventeurs : YAMADA, Tetsuo; (JP).
NAGAO, Keigo; (JP).
HASHIMOTO, Chisen; (JP)
Mandataire : YAMASHITA, Johei; YAMASHITA & ASSOCIATES, Toranomon 40th Mori Bldg., 13-1, Toranomon 5-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-141845 11.05.2001 JP
2001-141848 11.05.2001 JP
2001-182194 15.06.2001 JP
Titre (EN) THIN FILM ACOUSTIC RESONATOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE RESONATOR
(FR) RESONATEUR ACOUSTIQUE A FILM MINCE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A high performance thin film acoustic resonator with excellent electromechanical coupling factor and acoustic quality factor, wherein a recess (52) is formed in a substrate obtained by forming a silicon oxide thin layer (53) on the surface of a silicon wafer (51), a sandwiched structural body (60) formed of a piezoelectric body layer (62) and a lower electrode (61) and an upper electrode (63) stuck on the both surfaces thereof is disposed so as to bridge the recess (52), the upper surface of the lower electrode (61) and the lower surface of the piezoelectric body layer (62) stuck thereon are 25 nm or below in RMS variation of height, and the thickness of the lower electrode (61) is 150 nm or below.
(FR)L'invention concerne un résonateur acoustique à film mince d'efficacité élevée doté d'un excellent facteur de couplage électromécanique et d'un excellent facteur de qualité acoustique. Un évidement (52) est formé dans un substrat obtenu par formation d'une fine couche d'oxyde de silicium (53) à la surface d'une plaquette en silicium (51). Un corps structurel (60) intercalé formé d'une couche d'un corps piézo-électrique (62), d'une électrode inférieure (61) et d'une électrode supérieure (63) coincées sur les deux surfaces est disposé de manière à ponter l'évidement (52). La surface supérieure de l'électrode inférieure (61) et la surface inférieure de la couche du corps piézo-électrique (62) ainsi coincées sont égales à 25 nm tout au plus dans une variation de la hauteur moyenne quadratique, et l'épaisseur de l'électrode inférieure (61) est de 150 nm au maximum.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)