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1. (WO2002093485) PROCEDE DE REALISATION D'UNE MESURE D'ALIGNEMENT DE DEUX MOTIFS DANS DES COUCHES DIFFERENTES SUR UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/093485    N° de la demande internationale :    PCT/EP2002/004834
Date de publication : 21.11.2002 Date de dépôt international : 02.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.12.2002    
CIB :
G03F 7/20 (2006.01), G03F 9/00 (2006.01), G06T 7/00 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 Munich (DE) (Tous Sauf US).
HEINE, Rolf [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHMIDT, Sebastian [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHEDEL, Thorsten [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HEINE, Rolf; (DE).
SCHMIDT, Sebastian; (DE).
SCHEDEL, Thorsten; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
01111670.4 14.05.2001 EP
Titre (EN) METHOD FOR PERFORMING AN ALIGNMENT MEASUREMENT OF TWO PATTERNS IN DIFFERENT LAYERS ON A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UNE MESURE D'ALIGNEMENT DE DEUX MOTIFS DANS DES COUCHES DIFFERENTES SUR UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)In an alignment or overlay measurement of patterns on a semiconductor wafer (1) an error ocurring during performing a measurement in one of a predefined number of alignment structures (20) in an exposure field (2) of a corresponding predefined set of exposure fields (10) can be handled by selecting an alignment structure (21b) in a substitute exposure field (11). This exposure field (11)can be an alignment structure (21a) in the same exposure field (10,11), i.e. an intra-field change (100), or an other field not being part of the predefined set of exposure fields (10), i.e. aninter-field change (101). due to the might not erode and do not cause an error in a measurement, thus provinding an increased alignement or overlay quality.
(FR)Dans une mesure d'alignement ou de chevauchement de motifs sur une tranche de semi-conducteur (1), une erreur intervenant pendant l'exécution d'une mesure dans une structure d'un nombre prédéfini de structures d'alignement (20) dans un champ d'exposition (2) d'un ensemble prédéfini correspondant de champs d'exposition (10) peut être traitée par sélection d'une structure d'alignement (21b) dans un champ d'exposition de remplacement (11). Ce champ d'exposition (11) peut être une structure d'alignement (21a) dans un même champ d'exposition (10, 11), d'où un changement dans le même champ (100), ou dans un autre champ ne faisant pas partie dudit ensemble prédéfini de champs d'exposition (10), d'où un changement entre les champs (101). Du fait de la sélectivité différente dans un procédé de polissage mécano-chimique antérieur, par exemple, ces cibles (21a) ne s'érodent pas et ne provoquent pas d'erreur de mesure, d'où un alignement optimisé ou une qualité de chevauchement accrue.
États désignés : IL, JP, KR, SG, US.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)