WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002093203) CIRCUITS OPTIQUES/ELECTRONIQUES INTEGRES ET PROCEDES ASSOCIES PERMETTANT LEUR GENERATION SIMULTANEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/093203    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/015446
Date de publication : 21.11.2002 Date de dépôt international : 15.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.12.2002    
CIB :
G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/124 (2006.01), G02B 6/28 (2006.01), G02B 6/34 (2006.01), G02B 27/10 (2006.01), G02B 27/28 (2006.01), G02F 1/01 (2006.01), G02F 1/015 (2006.01), G02F 1/025 (2006.01), G02F 1/295 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : OPTRONX, INC [US/US]; 7450 Tilghman Street, Suite 105, Allentown, PA 18106 (US)
Inventeurs : DELIWALA, Shrenik; (US)
Mandataire : KOBA, Wendy; P.O. Box 556, Springtown, PA 18081-0556 (US)
Données relatives à la priorité :
09/859,693 17.05.2001 US
09/859,663 17.05.2001 US
09/859,786 17.05.2001 US
09/859,297 17.05.2001 US
09/859,647 17.05.2001 US
09/859,239 17.05.2001 US
09/859,338 17.05.2001 US
09/859,279 17.05.2001 US
09/859,769 17.05.2001 US
09/859,321 17.05.2001 US
60/293,615 25.05.2001 US
60/297,208 08.06.2001 US
09/991,542 10.11.2001 US
10/074,408 12.02.2002 US
10/076,920 15.02.2002 US
10/077,026 15.02.2002 US
10/078,972 19.02.2002 US
10/078,203 19.02.2002 US
10/079,668 20.02.2002 US
10/079,310 20.02.2002 US
10/079,073 20.02.2002 US
Titre (EN) INTEGRATED OPTICAL/ELECTRONIC CIRCUITS AND ASSOCIATED METHODS OF SIMULTANEOUS GENERATION THEREOF
(FR) CIRCUITS OPTIQUES/ELECTRONIQUES INTEGRES ET PROCEDES ASSOCIES PERMETTANT LEUR GENERATION SIMULTANEE
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a hybrid active electronic and optical circuit (103) using a lithography mask (6312) is disclosed. The hybrid active electronic and optical circuit (103) includes an active electronic device and at least one optical device on a Silicon-On-Insulator, SOI, wafer (102). The SOI wafer (102) includes an insulator layer (104) and an upper silicon layer (106). The upper silicon layer (106) includes at least one component of the active electronic device and at least one component of the optical device. The method includes projecting the lithography mask (6312) onto the SOI wafer (102) in order to simultaneously pattern the component of the active electronic device and the component of the optical device on the SOI wafer (102).
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de former un circuit hybride électronique et optique actif à l'aide d'un masque pour lithographie. Le circuit hybride électronique et optique actif comprend un dispositif électronique actif et au moins un dispositif optique sur une tranche de silicium sur isolant (SOI). La tranche SOI comprenant une couche isolante et une souche de silicium supérieure. La couche de silicium supérieure contient au moins un composant d'un dispositif électronique actif et au moins un composant du dispositif optique. Le procédé comprend la projection du masque de lithographie sur la tranche SOI afin de simultanément former les motifs sur le composant du dispositif électronique actif et sur le composant du dispositif optique de la tranche SOI.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)