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1. (WO2002093160) PROCEDE DE DETECTION D'EMPOISONNEMENT D'UN CAPTEUR DE GAZ MOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/093160    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/007478
Date de publication : 21.11.2002 Date de dépôt international : 06.03.2002
CIB :
G01N 27/12 (2006.01), G01N 33/00 (2006.01)
Déposants : AVISTA LABORATORIES, INC. [US/US]; 15913 E. Euclid, Spokane, WA 99216 (US) (Tous Sauf US).
LLOYD, Greg, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
FUGLEVAND, William, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LLOYD, Greg, A.; (US).
FUGLEVAND, William, A.; (US)
Mandataire : GRIGEL, George, G.; Wells, St. John P.S., Suite 1300, 601 West First Avenue, Spokane, WA 99201 (US)
Données relatives à la priorité :
09/854,059 11.05.2001 US
Titre (EN) METHOD OF DETECTING POISONING OF A MOS GAS SENSOR
(FR) PROCEDE DE DETECTION D'EMPOISONNEMENT D'UN CAPTEUR DE GAZ MOS
Abrégé : front page image
(EN)A method of and apparatus for detecting if a MOS gas sensor (400) has been poisoned, the sensor having a sensor element for sensing a target gas and having a heater configured to heat the sensor element in response to a voltage being applied to the heater. The heater having an operating temperature which is selectively maintained by applying a first voltage thereto. The method includes reducing the voltage from the first voltage and sensing a change in resistance of the sensor element which is responsive to the reduction of the voltage from the first voltage and comparing the sensed changes with expected changes. The apparatus includes cir cuitry (402) configured to reduce the voltage from the first voltage and the same or different circuitry senses a change in resis tance of the sensor element which is responsive to the reduction of the voltage from the first voltage and compares the sensed changes with expected changes.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un appareil permettant de détecter si un capteur (400) de gaz MOS a été empoisonné. Ce capteur possède un élément capteur destiné à capter un gaz cible et il possède un élément chauffant agencé de façon à chauffer cet élément capteur en réaction à une tension appliquée à cet élément chauffant. Cet élément chauffant possède une température de fonctionnement qui est sélectivement maintenue par l'application d'une première tension dans cet élément. Ce procédé consiste à réduire la tension en provenance de cette première tension et à capter une modification de la résistance de l'élément capteur, lequel réagi à la réduction de tension de cette première tension et à comparer les modifications captées avec des modifications attendues. Cet appareil comprend un circuit (402) agencé de façon à réduire la tension provenant de la première tension et ce même circuit ou un circuit différent capte une modification de résistance de l'élément capteur qui réagit à la réduction de tension en provenance de la première tension et compare les modifications captées avec des modifications attendues.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)